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1. (WO2013187078) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT COMPOSITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/187078    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/003754
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 14.06.2013
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/18 (2006.01), C23C 16/28 (2006.01), C23C 16/30 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP).
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP)
Inventeurs : OSADA, Takenori; (JP).
TAKADA, Tomoyuki; (JP).
HATA, Masahiko; (JP).
YASUDA, Tetsuji; (JP).
MAEDA, Tatsuro; (JP).
ITATANI, Taro; (JP)
Mandataire : RYUKA IP LAW FIRM; 22F, Shinjuku L Tower, 6-1, Nishi-Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-136448 15.06.2012 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD OF MANUFACTURING COMPOSITE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT COMPOSITE
(JA) 半導体基板、半導体基板の製造方法および複合基板の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor substrate comprising a sacrificial layer, a first semiconductor crystal layer and a second semiconductor crystal layer on a semiconductor crystal layer forming substrate. The semiconductor crystal layer forming substrate, sacrificial layer, first semiconductor crystal layer and second semiconductor crystal layer are positioned in the order semiconductor crystal layer forming substrate, sacrificial layer, first semiconductor crystal layer and second semiconductor crystal layer. First atoms of one type selected from multiple types of atoms constituting the semiconductor crystal layer forming substrate or the sacrificial layer are contained as an impurity in the first semiconductor crystal layer and the second semiconductor crystal layer, and the concentration of the first atoms in the second semiconductor crystal layer is lower than the concentration of the first atoms in the first semiconductor crystal layer.
(FR)L'invention concerne un substrat semi-conducteur comprenant une couche sacrificielle, une première couche cristalline semi-conductrice et une seconde couche cristalline semi-conductrice sur un substrat formant une couche cristalline semi-conductrice. Le substrat formant une couche cristalline semi-conductrice, la couche sacrificielle, la première couche cristalline semi-conductrice et la seconde couche cristalline semi-conductrice sont positionnés dans l'ordre substrat formant une couche cristalline semi-conductrice, couche sacrificielle, première couche cristalline semi-conductrice et seconde couche cristalline semi-conductrice. De premiers atomes d'un type sélectionné parmi plusieurs types d'atomes constituant le substrat formant une couche cristalline semi-conductrice ou la couche sacrificielle sont contenus en tant qu'impuretés dans la première couche cristalline semi-conductrice ou dans la seconde couche cristalline semi-conductrice, et la concentration des premiers atomes dans la seconde couche cristalline semi-conductrice est inférieure à la concentration des premiers atomes dans la première couche cristalline semi-conductrice.
(JA) 半導体結晶層形成基板の上方に、犠牲層、第1半導体結晶層および第2半導体結晶層を有し、半導体結晶層形成基板、犠牲層、第1半導体結晶層および第2半導体結晶層が、半導体結晶層形成基板、犠牲層、第1半導体結晶層、第2半導体結晶層の順に位置し、半導体結晶層形成基板または犠牲層を構成する複数種類の原子から選択された一の種類の第1原子が、第1半導体結晶層および第2半導体結晶層に不純物として含まれ、第2半導体結晶層における第1原子の濃度が、第1半導体結晶層における第1原子の濃度より低い半導体基板を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)