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1. (WO2013187064) STRUCTURE MULTICOUCHE, DISPOSITIF L'UTILISANT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/187064    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/003697
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 12.06.2013
CIB :
B32B 9/00 (2006.01), H01L 31/042 (2006.01)
Déposants : KURARAY CO., LTD. [JP/JP]; 1621, Sakazu, Kurashiki-shi, Okayama 7100801 (JP)
Inventeurs : NAKAYA, Masakazu; (JP).
HIGASHIDA, Noboru; (JP).
YOSHIDA, Kentaro; (JP).
SASAKI, Ryoichi; (JP).
SHIBATA, Manabu; (JP).
OSHITA, Tatsuya; (JP)
Mandataire : KAMADA, Koichi; 8th Fl., UMEDA PLAZA BLDG. ANNEX, 4-3-25, Nishitenma, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-134897 14.06.2012 JP
Titre (EN) MULTILAYER STRUCTURE, DEVICE USING SAME, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE MULTICOUCHE, DISPOSITIF L'UTILISANT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 多層構造体およびそれを用いたデバイス、ならびにそれらの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a novel multilayer structure which can be used to protect a device, and a device which uses this novel multilayer structure. The disclosed multilayer structure is a multilayer structure including a substrate and a barrier layer laminated on the substrate. The substrate has tension equal to or greater than 2,000 N/m when there is 3% distortion in at least one direction. The barrier layer includes a reaction product (R). This reaction product (R) is obtained by reacting at least a metal oxide (A) with a phosphorus compound (B). The wavenumber (n1) at maximum infrared absorption in the infrared absorption spectrum of the barrier layer in a range from 800 to 1,400 cm-1 is from 1,080 to 1,130 cm-1. The metal atoms constituting the metal oxide (A) are substantially aluminum molecules.
(FR)L'invention porte sur une nouvelle structure multicouche, qui peut être utilisée pour protéger un dispositif, et sur un dispositif qui utilise cette nouvelle structure multicouche. La structure multicouche décrite est une structure multicouche comprenant un substrat et une couche de barrière stratifiée sur le substrat. Le substrat présente une tension supérieure ou égale à 2 000 N/m quand il y a une distorsion de 3 % dans au moins une direction. La couche de barrière comprend un produit de réaction (R). Ce produit de réaction (R) est obtenu par la réaction d'au moins un oxyde métallique (A) avec un composé du phosphore (B). Le nombre d'onde (n1) à une absorption d'infrarouges maximale dans le spectre d'absorption des infrarouges de la couche de barrière dans une plage de 800 à 1 400 cm-1 est de 1 080 à 1 130 cm-1. Les atomes de métal constituant l'oxyde métallique (A) sont sensiblement des molécules d'aluminium.
(JA) デバイスの保護に用いることができる新規な多層構造体およびそれを用いたデバイスを提供する。開示される多層構造体は、基材と当該基材に積層されたバリア層とを含む多層構造体である。当該基材の、少なくとも一方向の3%歪み時張力が2000N/m以上である。バリア層は反応生成物(R)を含む。当該反応生成物(R)は、少なくとも金属酸化物(A)とリン化合物(B)とが反応してなる反応生成物である。800~1400cm-1の範囲におけるバリア層の赤外線吸収スペクトルにおいて赤外線吸収が最大となる波数(n)は、1080~1130cm-1の範囲にある。金属酸化物(A)を構成する金属原子は、実質的にアルミニウム原子である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)