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1. (WO2013186862) DISPOSITIF DE SOUDAGE, PROCÉDÉ DE SOUDAGE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELLULE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/186862    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/065046
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 12.06.2012
CIB :
B23K 26/26 (2006.01), B23K 26/20 (2006.01)
Déposants : TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (Tous Sauf US).
SUGIYAMA Toru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAMURA Hideo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NARUSE Yoichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIBATA Yoshinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUGIYAMA Toru; (JP).
NAKAMURA Hideo; (JP).
NARUSE Yoichi; (JP).
SHIBATA Yoshinori; (JP)
Mandataire : YANO Juichiro; YANO INTERNATIONAL PATENT OFFICE, Twin 21 MID Tower 34th Floor, 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406134 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) WELDING DEVICE, WELDING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING CELL
(FR) DISPOSITIF DE SOUDAGE, PROCÉDÉ DE SOUDAGE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELLULE
(JA) 溶接装置、溶接方法、及び電池の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a technique by which, in laser welding, the desired weld penetration depth can be achieved without any oxide film lingering in the deep part of a weld pool. Provided is a welding device (1) for emitting a laser focused on a processing point (P). At the processing point, the laser has a profile similar to that of a superimposed laser formed by superimposing a first laser and a second laser having a smaller beam radius than that of the first laser. In the laser profile, a portion corresponding to the first laser has a power density of an extent enabling heat conduction welding, and in the laser profile, a portion corresponding to the second laser has a power density of an extent enabling keyhole welding.
(FR)L'invention porte sur une technique par laquelle, dans le soudage au laser, il est possible d'obtenir la profondeur de présentation désirée de la soudure sans qu'aucun film d'oxyde ne reste dans la partie profonde du bain de soudure. L'invention concerne un dispositif de soudage (1) servant à émettre un laser focalisé sur un point de traitement (P). Au point de traitement, le laser a un profil similaire à celui d'un laser superposé formé par superposition d'un premier laser et d'un second laser ayant un rayon de faisceau inférieur à celui du premier laser. Dans le profil de laser, une partie correspondant au premier laser présente une densité d'énergie ayant un degré qui permet le soudage par conduction thermique et, dans le profil de laser, une partie correspondant au second laser a une densité d'énergie ayant un degré qui permet le soudage en trou de serrure.
(JA)レーザ溶接において、溶融池の深部に酸化皮膜が残存することなく、所望の溶け込み深さを達成可能な技術を提供する。加工点(P)に集光するレーザを照射する溶接装置(1)であって、前記加工点において、前記レーザは、第一レーザと、前記第一レーザよりも小さいビーム径を有する第二レーザと、が重畳されて成る重畳レーザと同様のプロファイルを有し、前記レーザのプロファイルにおける、前記第一レーザに対応する部分は、熱伝導型溶接を行える程度のパワー密度を有し、前記レーザのプロファイルにおける、前記第二レーザに対応する部分は、キーホール型溶接を行える程度のパワー密度を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)