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1. (WO2013185952) PROCÉDÉ DE DÉCOUPE D'UN MONOCRISTAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/185952    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/057915
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 16.04.2013
CIB :
B28D 5/04 (2006.01)
Déposants : CRYSTAL-N GMBH [DE/DE]; Dr.-Mack-Str. 77 90762 Fürth (DE)
Inventeurs : FILIP, Octavian; (DE).
EPELBAUM, Boris; (DE).
BICKERMANN, Matthias; (DE).
WINNACKER, Albrecht; (DE).
HEIMANN, Paul; (DE).
SEITZ, Ulrich; (DE)
Mandataire : GASSNER, Wolfgang; Marie-Curie-Str. 1 91052 Erlangen (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2012 210 047.4 14.06.2012 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM SCHNEIDEN EINES EINKRISTALLS
(EN) METHOD FOR CUTTING A SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE DÉCOUPE D'UN MONOCRISTAL
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Schneiden eines Einkristalls (1) mit einer ersten polaren Achse (P1) mit folgenden Schritten: Anordnen des Einkristalls (1) bezüglich eines Schneidwerkzeugs (2) derart, dass die erste polare Achse (P1) senkrecht zu einer beabsichtigten Schnittebene (SE) ausgerichtet ist; Anordnen zumindest eines weiteren Einkristalls (5) mit einer zweiten polaren Achse (P2) derart, dass die erste (P1) und die zweite polare Achse (P2) im Wesentlichen parallel, aber entgegengesetzt zueinander ausgerichtet sind; und Gleichzeitiges Führen eines Schneidwerkzeugs (2) durch den Einkristall (1) und den zumindest einen weiteren Einkristall (5) entlang der beabsichtigten Schnittebene (SE).
(EN)The invention relates to a method for cutting a single crystal (1) having a first polar axis (P1) comprising the steps of arranging the single crystal (1) relative to a cutting tool (2) in such a way that the first polar axis (P1) is oriented perpendicular to an intended cutting plane (SE); arranging at least one further single crystal (5) having a second polar axis (P2) in such a way that the first (P1) and the second polar axis (P2) are oriented substantially parallel but opposite one another; and simultaneously guiding a cutting tool (2) through the single crystal (1) and the at least one further single crystal (5) along the intended cutting plane (SE).
(FR)L'invention concerne un procédé de coupe d'un monocristal (1) ayant un premier axe polaire (P1), comprenant les étapes suivantes : placement du monocristal (1) par rapport à un outil coupant (2) de telle façon que le premier axe polaire (P1) soit aligné perpendiculairement à un plan de coupe (SE) voulu; placement d'au moins un autre monocristal (5) ayant un deuxième axe polaire (P2) de telle façon que le premier (P1) et le deuxième axe polaire (P2) soient pratiquement parallèles mais en sens opposé; et guidage simultané d'un outil coupant (2) dans le monocristal (1) et dans le ou les autres monocristaux (5) le long du plan de coupe (SE) voulu.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)