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1. (WO2013185736) CIRCUIT DE PROTECTION CONTRE LES SURTENSIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/185736    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/081672
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 16.08.2013
CIB :
H02M 1/12 (2006.01)
Déposants : ZTE CORPORATION [CN/CN]; ZTE Plaza, Keji Road South, Hi-Tech Industrial Park, Nanshan Shenzhen, Guangdong 518057 (CN)
Inventeurs : WAN, Zhenghai; (CN).
LI, Junkai; (CN).
PU, Xifeng; (CN).
LI, Dan; (CN)
Mandataire : AFD CHINA INTELLECTUAL PROPERTY LAW OFFICE; Suite B 1601A, 8 Xue Qing Rd., Haidian Beijing 100192 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210453846.1 12.11.2012 CN
Titre (EN) SURGE PROTECTION CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE PROTECTION CONTRE LES SURTENSIONS
(ZH) 一种浪涌保护电路
Abrégé : front page image
(EN)A surge protection circuit comprises a bridgeless booster sub-circuit and a surge protection sub-circuit. The bridgeless booster sub-circuit comprises a first connecting end and a second connecting end of an alternating current power source, a first inductor (L1), a second inductor (L2), a first switching tube (VT1) with a damping diode, a second switching tube (VT2) with a damping diode, a capacitor (C1), a fifth diode (D5), and a sixth diode (D6). The surge protection sub-circuit comprises a first connecting end and a second connecting end of an alternating current power source, a first diode (D1), a second diode (D2), a third transistor (D3), a fourth transistor (D4), and a surge buffer device. The circuit uses a surge buffer device to absorb a surge current, and the surge buffer device is not in a main topology circuit.
(FR)Selon l'invention, un circuit de protection contre les surtensions comprend un sous-circuit survolteur sans pont et un sous-circuit de protection contre les surtensions. Le sous-circuit survolteur sans pont comprend: une première extrémité de raccordement et une seconde extrémité de raccordement d'une source d'alimentation en courant alternatif, une bobine d'induction 1, une bobine d'induction 2, un tube de commutation 1 à diode d'amortissement, un tube de commutation 2 à diode d'amortissement, un condensateur, une diode 5 et une diode 6. Le sous-circuit de protection contre les surtensions comprend: une première extrémité de raccordement et une seconde extrémité de raccordement d'une source d'alimentation en courant alternatif, une diode 1, une diode 2, un transistor 3, un transistor 4 et un dispositif tampon de surtension. Le mode de réalisation de l'invention apporte une nouvelle solution de protection contre les surtensions; un dispositif tampon de surtension est utilisé pour absorber un courant de surtension, et le dispositif tampon de surtension ne se trouve pas dans un circuit topologique principal.
(ZH)一种浪涌保护电路,包括无桥升压子电路和浪涌保护子电路,其中,所述无桥升压子电路包括交流电源的第一连接端和第二连接端、第一电感(Ll)、第二电感(L2)、带阻尼二极管的第一开关管(VT1)、带阻尼二极管的第二开关管(VT2)、电容(Cl)、第五二极管(D5)、以及第六二极管(D6);所述浪涌保护子电路包括交流电源的第一连接端和第二连接端、第一二极管(Dl)、第二二极管(D2)、第三晶体管(D3)、第四晶体管(D4),以及浪涌缓冲器件。所述电路利用浪涌缓冲器件吸收浪涌电流,并且浪涌缓冲器件不在主拓扑电路中。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)