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1. (WO2013185637) DISPOSITIF DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ POUR METTRE EN OEUVRE UNE COMMANDE D'INTERRUPTION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/185637    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/077285
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 15.06.2013
CIB :
G06F 13/28 (2006.01)
Déposants : MEMBLAZE TECHNOLOGY (BEIJING) CO., LTD. [CN/CN]; Room 609, Pioneering Park Building D Shangdi Xinxi Lu No.2, Haidian District Beijing 100085 (CN)
Inventeurs : YIN, Xuebing; (CN).
WANG, Yilei; (CN)
Données relatives à la priorité :
201210204083.7 16.06.2012 CN
Titre (EN) STORAGE DEVICE AND METHOD FOR PERFORMING INTERRUPTION CONTROL THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ POUR METTRE EN OEUVRE UNE COMMANDE D'INTERRUPTION DE CELUI-CI
(ZH) 存储设备及其中断控制方法
Abrégé : front page image
(EN)A storage device and a method for performing interruption control thereof. The storage device includes a flash memory and a buffer memory. The method comprises receiving the data for writing into the storage device from a information processing device; writing the received data for writing into the storage device into a buffer memory; retrieving the data form the buffer memory and writing the data into the flash memory; wherein after the received data for writing into the storage device is written into the buffer memory, if the data amount of the buffer memory smaller than a predetermined threshold, a message of write operation completion is sent to the information processing device.
(FR)L'invention concerne un dispositif de mémoire et un procédé pour mettre en oeuvre une commande d'interruption de celui-ci. Le dispositif de mémoire comprend une mémoire flash et une mémoire tampon. Le procédé consiste à : recevoir des données destinées à être écrites dans le dispositif de mémoire et provenant d'un dispositif de traitement de données ; écrire dans une mémoire tampon les données reçues destinées à être écrites dans le dispositif de mémoire ; récupérer les données de la mémoire tampon et écrire celles-ci dans la mémoire flash ; après que les données reçues destinées à être écrites dans le dispositif de mémoire ont été écrites dans la mémoire tampon, si la quantité des données de la mémoire tampon est inférieure à un seuil prédéterminé, envoyer un message d'achèvement d'opération d'écriture au dispositif de traitement de données.
(ZH)存储设备及其中断控制方法。所述存储设备包括闪存存储器以及缓冲存储器,所述方法包括:从信息处理设备接收要写入存储设备的数据;将所接收的要写入存储设备的数据写入所述缓冲存储器;将所述缓冲存储器中的数据取出并写入所述闪存存储器;其中,在将所接收的要写入存储设备的数据写入所述缓冲存储器后,若所述缓冲存储器中的数据量小于预定阈值,则向所述信息处理设备发送指示写操作完成的消息。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)