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1. (WO2013185526) DISPOSITIF À RADIOFRÉQUENCE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/185526    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/075969
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 21.05.2013
CIB :
H01L 29/778 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01)
Déposants : DYNAX SEMICONDUCTOR, INC. [CN/CN]; No.18 Chenfeng Road Kunshan, Jiangsu 215300 (CN)
Inventeurs : CHENG, Kai; (CN)
Mandataire : UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 7th Floor, Scitech Place No.22, Jian Guo Men Wai Ave., Chao Yang District Beijing 100004 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210192434.7 12.06.2012 CN
Titre (EN) RADIO FREQUENCY DEVICE AND PREPARATION METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF À RADIOFRÉQUENCE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 一种射频器件及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a radio frequency device; the nitride potential barrier layer (14) of the radio frequency device has two layers of aluminum enriched nitride, wherein the content of aluminum exceeds 75%. The second nitride layer (142) is a silicon-containing nitride; by having sufficiently high silicon content, the metal electrodes in the drain electrode and the source electrode form ohmic contacts with the second nitride layer (142), which not only reduces the contact resistance of the drain and source electrodes, but also further increases the concentration of the two dimensional electron gas due to the fact that the silicon-containing nitride can provide more free electrons, thus improving the radio frequency performance of the devices. At the same time, a medium layer is produced in situ on the above silicon-containing nitride (142), and used as a passivating layer of the nitride, thus reducing the surface state density and the release of stress. During the manufacture of a gate electrode (161), the passivating layer (15) in the gate area is etched away, and the exposed nitride potential barrier layer (14) is treated by oxidization. The oxide produced at the gate electrode (161) can greatly reduce the leakage current of the gate electrode (161) and the leakage current between the source electrode (162) and drain electrode (163). In addition, also provided is a method for manufacturing the above radio frequency device.
(FR)L'invention concerne un dispositif à radiofréquence. La couche barrière de potentiel au nitrure (14) du dispositif à radiofréquence présente deux couches de nitrure enrichi à l'aluminium, la teneur en aluminium dépassant 75 %. La seconde couche de nitrure (142) est un nitrure contenant du silicium. Etant donné qu'elles présentent une teneur en silicium suffisamment élevée, les électrodes métalliques dans l'électrode de drain et l'électrode de source forment des contacts ohmiques avec la seconde couche au nitrure (142), qui non seulement réduit la résistance de contact des électrodes de drain et de source, mais continue également d'augmenter la concentration du gaz d'électrons bidimensionnel en raison du fait que le nitrure contenant du silicium peut fournir un plus grand nombre d'électrons libres, ce qui permet d'améliorer la performance de radiofréquence des dispositifs. Par la même occasion, une couche de milieu est produite in situ sur le nitrure contenant du silicium (142) ci-dessus, et utilisée comme couche de passivation du nitrure, ce qui permet de réduire la densité de l'état de surface et la libération de contrainte. Pendant la fabrication d'une électrode de grille (161), la couche de passivation (15) dans la zone de grille est retirée par gravure, et la couche barrière de potentiel au nitrure (14) exposée est traitée par oxydation. L'oxyde produit au niveau de la grille d'électrode (161) peut fortement réduire le courant de fuite de l'électrode de grille (161) et le courant de fuite entre l'électrode de source (162) et l'électrode de drain (163). L'invention concerne par ailleurs un procédé de fabrication du dispositif à radiofréquence ci-dessus.
(ZH)一种射频器件,该射频器件的氮化物势垒层(14)具有两层富铝氮化物,其中铝的含量超过75%。第二氮化物层(142)为含硅氮化物,通过使硅的含量足够高,从而使漏、源极中的金属电极与第二氮化物层(142)形成欧姆接触,既降低了漏源极的接触电阻,又由于含硅氮化物能够提供更多的自由电子,进一步提高了二维电子气的浓度,进而提高了器件的射频性能。同时,在上述含硅氮化物(142)上,通过原位生长一层介质层,作为氮化物的钝化层(15),从而降低表面态密度,减少应力的释放。在制造栅极(161)的过程中,刻蚀掉栅区的钝化层(15),对暴露出来的氮化物势垒层(14)做氧化处理。栅极(161)处生成的氧化物可以大大降低栅极(161)的漏电流,以及源极(162)和漏极(163)之间的漏电流。另外还提供了制作上述射频器件的方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)