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1. (WO2013185453) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE CRISTAL GA2S3 MONOCLINIQUE ET SON UTILISATION DANS DES OPTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/185453    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/086248
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 10.12.2012
CIB :
C01G 15/00 (2006.01), G02F 1/37 (2006.01), G02F 1/355 (2006.01)
Déposants : FUJIAN INSTITUTE OF RESEARCH ON THE STRUCTURE OF MATTER, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 155 Yangqiao Road West Fuzhou, Fujian 350002 (CN)
Inventeurs : ZHANG, Mingjian; (CN).
GUO, Guocong; (CN).
ZENG, Huiyi; (CN).
JIANG, Xiaoming; (CN).
FAN, Yuhang; (CN).
LIU, Binwen; (CN)
Mandataire : QINGFENG FORTUNE INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; Building 2, Room 2330 BeijingZhongguancun Software Park Haidian Beijing 100193 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210190280.8 11.06.2012 CN
201210191288.6 11.06.2012 CN
Titre (EN) METHOD FOR PREPARING MONOCLINIC GA2S3 CRYSTAL AND USE IN OPTICS THEREOF
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE CRISTAL GA2S3 MONOCLINIQUE ET SON UTILISATION DANS DES OPTIQUES
(ZH) 单斜相Ga2S3晶体的制备方法及其在光学上的应用
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for preparing monoclinic Ga2S3, comprising: mixing Ga2O3, B, and S according to a mole ratio of 1:2:3, grinding the mixture, pressing the ground mixture to form a sheet, then sealing the sheet into a vacuum quartz tube, and heating the tube in accordance with a specific temperature curve to obtain the product of monoclinic Ga2S3 crystal. Also provided is a use of monoclinic Ga2S3 crystal as infrared wave band second-order nonlinear crystal material.
(FR)L'invention concerne un procédé de préparation de Ga2S3 monoclinique consistant à: mélanger Ga2O3, B et S selon un rapport molaire de 1:2:3, broyer le mélange, comprimer le mélange broyé pour obtenir une feuille, puis sceller la feuille dans un tube en quartz sous vide et chauffer le tube conformément à une courbe de température spécifique pour obtenir le produit de cristal Ga2S3 monoclinique. L'invention concerne également une utilisation du cristal Ga2S3 monoclinique comme matériau cristallin non linéaire de second ordre donnant des bandes de longueurs d'onde de l'infrarouge.
(ZH)提供一种单斜相Ga2S3的制备方法,包括:Ga2O3、B和S按照1:2:3的摩尔比例混合研磨,压片封入真空石英管中,以一定的温度曲线处理得到单斜相Ga2S3晶体产物。还提供一种单斜相Ga2S3晶体作为红外波段二阶非线性晶体材料的应用。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)