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1. (WO2013184715) CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/184715    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/044166
Date de publication : 12.12.2013 Date de dépôt international : 04.06.2013
CIB :
H01L 31/0312 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : NUSOLA INC. [US/US]; 1133 Douglas Avenue, Suite 301 Burlingame, CA 94010 (US)
Inventeurs : MATSUMARU, Koji; (JP).
BRICENO, Jose; (JP)
Mandataire : CHEUNG, Rhys; Manatt, Phelps and Phillips, LLP 1841 Page Mill Road, Suite 200 Palo Alto, CA 94304 (US)
Données relatives à la priorité :
61/738,375 17.12.2012 US
61/655,449 04.06.2012 US
13/844,428 15.03.2013 US
13/844,747 15.03.2013 US
13/844,521 15.03.2013 US
61/722,693 05.11.2012 US
Titre (EN) PHOTOVOLTAIC CELL AND METHODS FOR MANUFACTURE
(FR) CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A material is manufactured from a single piece of semiconductor material. The material manufactured includes a top layer of a semiconductor compound and a bottom layer of a semiconductor bulk. The material may also have an intrinsic semiconductor layer. The material is created from a transformative process on the single -piece semiconductor material caused by heating a semiconductor material having an impurity under particular conditions. The material manufactured exhibits photovoltaic properties because the layers formed during the transformative process create a p-i-n, a p-n, or an n-n junction having a band-gap difference between the n-type layers.
(FR)L'invention concerne un matériau qui est fabriqué avec un seul morceau de matériau semi-conducteur. Le matériau fabriqué comprend une couche supérieure d'un composé semi-conducteur et une couche inférieure d'un semi-conducteur massif. Le matériau peut également avoir une couche de semi-conducteur intrinsèque. Le matériau est créé grâce à un processus de transformation sur le matériau semi-conducteur en un seul morceau, ladite transformation étant provoquée par le chauffage d'un matériau semi-conducteur ayant une impureté dans des conditions particulières. Le matériau fabriqué présente des propriétés photovoltaïques car les couches formées pendant le processus de transformation créent une jonction p-i-n, p-n ou n-n ayant une différence de bande interdite entre les couches de type n.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)