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1. (WO2013184585) SYSTÈME DE NEUROSTIMULATION DOTÉ D'UN MODE IRM PAR DÉFAUT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/184585    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/043916
Date de publication : 12.12.2013 Date de dépôt international : 03.06.2013
CIB :
A61N 1/37 (2006.01), A61N 1/08 (2006.01)
Déposants : BOSTON SCIENTIFIC NEUROMODULATION CORPORATION [US/US]; 25155 Rye Canyon Loop Valencia, California 91355 (US)
Inventeurs : CARBUNARU, Rafael; (US).
MURTONEN, Salomo; (US).
PARRAMON, Jordi; (US).
VENOOK, Ross; (US)
Mandataire : BOLAN, Michael J.; Vista Ip Law Group LLP 2040 Main Street, Suite 710 Irvine, California 92614 (US)
Données relatives à la priorité :
61/655,938 05.06.2012 US
Titre (EN) NEUROSTIMULATION SYSTEM WITH DEFAULT MRI-MODE
(FR) SYSTÈME DE NEUROSTIMULATION DOTÉ D'UN MODE IRM PAR DÉFAUT
Abrégé : front page image
(EN)A neurostimulation device capable of being placed between a stimulation state and an EMI protection state. The neurostimulation device comprises a plurality of electrical terminals configured for being respectively coupled to a plurality of stimulation electrodes, stimulation output circuitry configured for being selectively activated during the stimulation state to output a plurality of stimulation pulses to the plurality of electrical terminals, electromagnetic protection circuitry configured for being selectively activated during the EMI protection state to prevent at least a portion of the electrical current induced on at least one of the electrical terminals by an electromagnetic field entering the stimulation output circuitry, and a controller configured for automatically defaulting the neurostimulation device to the EMI protection state.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de neurostimulation apte à être placé entre un état de stimulation et un état de protection EMI. Ledit dispositif de neurostimulation comprend les éléments suivants : une pluralité de terminaux électriques conçus pour être accouplés respectivement à une pluralité d'électrodes de stimulation ; un circuit de sortie de stimulation, conçu pour être activé sélectivement durant l'état de stimulation pour produire une pluralité d'impulsions de stimulation à la pluralité de terminaux électriques ; un circuit de protection électromagnétique, conçu pour être activé sélectivement durant l'état de protection EMI pour empêcher au moins une partie du courant électrique ‑ induit sur au moins l'un des terminaux électriques par un champ électromagnétique ‑ d'entrer dans le circuit de sortie de stimulation ; et un contrôleur, conçu pour faire passer automatiquement par défaut le dispositif de neurostimulation à l'état de protection EMI.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)