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1. (WO2013184314) PROCÉDÉ DE STABILISATION DE FILM SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/184314    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/041143
Date de publication : 12.12.2013 Date de dépôt international : 15.05.2013
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
HUANG, Yi-Chiau [CN/US]; (US) (US only).
KIM, Yihwan [US/US]; (US) (US only).
SANCHEZ, Errol Antonio C. [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : HUANG, Yi-Chiau; (US).
KIM, Yihwan; (US).
SANCHEZ, Errol Antonio C.; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, LLP 24 Greenway Plaza, Suite 1600 Houston, TX 77046 (US)
Données relatives à la priorité :
61/657,494 08.06.2012 US
61/660,382 15.06.2012 US
13/796,061 12.03.2013 US
Titre (EN) METHOD OF SEMICONDUCTOR FILM STABILIZATION
(FR) PROCÉDÉ DE STABILISATION DE FILM SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the invention generally relate to methods for forming silicon-germanium-tin alloy epitaxial layers, germanium-tin alloy epitaxial layers, and germanium epitaxial layers that may be doped with boron, phosphorus, arsenic, or other n-type or p-type dopants. The methods generally include positioning a substrate in a processing chamber. A germanium precursor gas is then introduced into the chamber concurrently with a stressor precursor gas, such as a tin precursor gas, to form an epitaxial layer. The flow of the germanium gas is then halted, and an etchant gas is introduced into the chamber. An etch back is then performed while in the presence of the stressor precursor gas used in the formation of the epitaxial film. The flow of the etchant gas is then stopped, and the cycle may then be repeated. In addition to or as an alternative to the etch back process, an annealing processing may be performed.
(FR)Selon des modes de réalisation, la présente invention concerne de manière générale des procédés de formation de couches épitaxiales d'alliage silicium-germanium-étain, des couches épitaxiales d'alliage germanium-étain, et des couches épitaxiales de germanium qui peuvent être dopées avec du bore, du phosphore, de l'arsenic, ou d'autres dopants du type n ou du type p. Les procédés selon l'invention consistent de manière générale à positionner un substrat dans une chambre de traitement. Un gaz précurseur de germanium est ensuite introduit dans la chambre simultanément avec un gaz précurseur d'agent de contrainte, tel qu'un gaz précurseur d'étain, afin de former une couche épitaxiale. L'écoulement du gaz de germanium est ensuite interrompu, et un gaz d'agent de gravure est introduit dans la chambre. Une gravure en retrait est ensuite effectuée en présence du gaz précurseur d'agent de contrainte utilisé dans la formation du film épitaxial. L'écoulement du gaz d'agent de gravure est ensuite interrompu, et le cycle peut ensuite être répété. En complément ou en variante du processus de gravure en retrait, un traitement de recuit peut être effectué.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)