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1. (WO2013184308) MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE (DRAM) DOTÉE D'UN TRANSISTOR D'ACCÈS À NANOFIL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/184308    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/041038
Date de publication : 12.12.2013 Date de dépôt international : 15.05.2013
CIB :
H01L 27/108 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US)
Inventeurs : CHANG, Josephine; (US).
SLEIGHT, Jeffrey, W.; (US)
Mandataire : SCHNURMANN, H., Daniel; IBM Corporation 2070 Route 52 Bldg. 321/Zip 482 Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Données relatives à la priorité :
13/490,759 07.06.2012 US
Titre (EN) DRAM WITH A NANOWIRE ACCESS TRANSISTOR
(FR) MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE (DRAM) DOTÉE D'UN TRANSISTOR D'ACCÈS À NANOFIL
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor nanowire is formed integrally with a wraparound semiconductor portion (30D) that contacts sidewalls of a conductive cap structure (18) located at an upper portion of a deep trench and contacting an inner electrode (16) of a deep trench capacitor. The semiconductor nanowire (30N) is suspended from above a buried insulator layer (20). A gate dielectric layer (32L) is formed on the surfaces of the semiconductor material structure (30P) including the semiconductor nanowire and the wraparound semiconductor portion. A wraparound gate electrode portion (30D) is formed around a center portion of the semiconductor nanowire and gate spacers (52) are formed. Physically exposed portions of the patterned semiconductor material structure are removed, and selective epitaxy and metallization are performed to connect a source-side end of the semiconductor nanowire to the conductive cap structure.
(FR)La présente invention se rapporte à un nanofil semi-conducteur qui est formé d'une seule pièce avec une partie semi-conductrice enveloppante (30D) qui vient en contact avec des parois latérales d'une structure d'encapsulation conductrice (18) située au niveau d'une partie supérieure d'une tranchée profonde et qui vient en contact avec une électrode interne (16) d'un condensateur à tranchée profonde. Le nanofil semi-conducteur (30N) est suspendu au-dessus d'une couche d'isolant enfouie (20). Une couche de diélectrique de grille (32L) est formée sur les surfaces de la structure de matériau semi-conducteur (30P) comprenant le nanofil semi-conducteur et la partie semi-conductrice enveloppante. Une partie d'électrode de grille enveloppante (30D) est formée autour d'une partie centrale du nanofil semi-conducteur et des éléments d'espacement de grille (52) sont formés. Des parties exposées physiquement de la structure de matériau semi-conducteur à motifs sont retirées et une épitaxie sélective ainsi qu'une métallisation sont effectuées pour raccorder une extrémité côté source du nanofil semi-conducteur à la structure d'encapsulation conductrice.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)