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1. (WO2013184244) PROCÉDÉS DE FABRICATION ET STRUCTURES DESTINÉS À DES CELLULES SOLAIRES EN COUCHES MINCES DE GRANDE TAILLE ET À D'AUTRES DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/184244    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/038085
Date de publication : 12.12.2013 Date de dépôt international : 24.04.2013
CIB :
H01L 31/04 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : SOLEXEL, INC. [US/US]; 1530 Mccarthy Blvd Milpitas, CA 95035 (US)
Inventeurs : MOSLEHI, Mehrdad, M.; (US).
KAPUR, Pawan; (US).
KRAMER, Karl-Josef; (US)
Mandataire : WOOD, John Ryan, C.; SOLEXEL, INC. 1530 Mccarthy Blvd Milpitas, CA 95035 (US)
Données relatives à la priorité :
61/637,831 24.04.2012 US
Titre (EN) MANUFACTURING METHODS AND STRUCTURES FOR LARGE-AREA THIN-FILM SOLAR CELLS AND OTHER SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) PROCÉDÉS DE FABRICATION ET STRUCTURES DESTINÉS À DES CELLULES SOLAIRES EN COUCHES MINCES DE GRANDE TAILLE ET À D'AUTRES DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Fabrication methods and structures relating to multi-level metallization of solar cells are described. In one embodiment, a back contact solar cell comprises a substrate having a light receiving frontside surface and a backside surface for forming patterned emitter and base regions. A first electrically conductive metallization layer is patterned on the backside base and emitter regions. An electrically insulating layer is formed on the first electrically conductive metallization layer and a second electrically conductive metallization layer is formed on the electrically insulating layer. The second electrically conductive metallization layer is connected to the first electrically conductive metallization layer through conductive via plugs formed in the electrically insulating layer.
(FR)La présente invention a trait à des procédés de fabrication et à des structures se rapportant à une métallisation à plusieurs niveaux pour des cellules solaires. Dans un mode de réalisation, une cellule solaire à contact arrière comprend un substrat présentant une surface de côté frontal recevant la lumière et une surface de côté arrière formant des zones d'émetteur et de base à motif. Une première couche de métallisation électro-conductrice présente un motif sur les zones de base et d'émetteur de côté arrière. Une couche électriquement isolante est formée sur la première couche de métallisation électro-conductrice et une deuxième couche de métallisation électro-conductrice est formée sur la couche électriquement isolante. La deuxième couche de métallisation électro-conductrice est connectée à la première couche de métallisation électro-conductrice par des trous de métallisation conducteurs formés dans la couche électriquement isolante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)