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1. (WO2013183705) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/183705    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/065687
Date de publication : 12.12.2013 Date de dépôt international : 06.06.2013
CIB :
H01L 33/62 (2010.01)
Déposants : HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606 (JP)
Inventeurs : HIGASHIUCHI Tomoko; (JP).
TAKANE Nobuaki; (JP).
YAMAURA Masashi; (JP).
INADA Maki; (JP).
YOKOTA Hiroshi; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-129141 06.06.2012 JP
Titre (EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE
(JA) 光半導体装置の製造方法及び光半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)A production method for an optical semiconductor device that comprises a substrate having a silver plating layer formed on the surface thereof and a light-emitting diode bonded to the silver plating layer, said production method having: a film-forming step in which a clay film coating the silver plating layer is formed; and a connecting step in which, after the film-forming step, the light-emitting diode and the silver plating layer that has been coated by the clay film are wire bonded and electrically connected.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur optique qui comprend un substrat comportant une couche de placage d'argent formée sur sa surface et une diode électroluminescente liée à la couche de placage d'argent, ledit procédé de production faisant appel : à une étape de formation de film dans laquelle une pellicule argileuse revêtant la couche de placage d'argent est formée; et à une étape de connexion dans laquelle, suite à l'étape de formation de film, la diode électroluminescente et la couche de placage d'argent qui a été revêtue par la pellicule argileuse sont microcâblées et connectées électriquement.
(JA)表面に銀めっき層が形成された基板と、前記銀めっき層にボンディングされた発光ダイオードと、を備えた光半導体装置の製造方法であって、前記銀めっき層を被覆する粘土膜を形成する膜形成工程と、前記膜形成工程の後に、前記発光ダイオードと前記粘土膜で被覆された前記銀めっき層とをワイヤボンディングして電気的に接続する接続工程と、を有する、光半導体装置の製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)