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1. (WO2013183671) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/183671    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/065590
Date de publication : 12.12.2013 Date de dépôt international : 05.06.2013
CIB :
H01L 21/56 (2006.01), H01L 23/00 (2006.01), H01L 23/28 (2006.01), H05K 3/28 (2006.01)
Déposants : HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606 (JP)
Inventeurs : KAWAMORI Takashi; (JP).
SUZUKI Naoya; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-131066 08.06.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a semiconductor device that can improve production efficiency. In the manufacturing method for a semiconductor device (1) is included a step for imparting a sealing material (7) that seals a semiconductor element (3), providing a release film (F) in a mold facing the semiconductor element (3) and curing the sealing material (7) by an upper mold (22) and a lower mold (24). On the contact side of the release film (F) with the sealing material (7), a metal layer (9) for shielding electromagnetic waves is provided in advance, and in the step for curing the sealing material (7), the metal layer (9) is transferred to the sealing material (7).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur qui peut améliorer un rendement de production. Dans le procédé de fabrication pour un dispositif semi-conducteur (1), est comprise une étape de fourniture d'un matériau de scellage (7) qui scelle un élément semi-conducteur (3), de fourniture d'un film de libération (F) dans un moule faisant face à l'élément semi-conducteur (3) et de durcissement du matériau de scellage (7) par un moule supérieur (22) et un moule inférieur (24). Sur le côté de contact du film de libération (F) avec le matériau de scellage (7), une couche métallique (9) pour blindage contre des ondes électromagnétiques est disposée en avance, et dans l'étape de durcissement du matériau de scellage, la couche métallique (9) est transférée vers le matériau de scellage (7).
(JA) 生産効率の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。半導体装置1の製造方法では、半導体素子3を封止する封止材7を付与し、半導体素子3と対向する金型にリリースフィルムFを設けて上金型22と下金型24とにより封止材7を硬化させる工程を含み、リリースフィルムFにおける封止材7との接触側に、電磁波を遮蔽するための金属層9を予め設け、封止材7を硬化させる工程において封止材7に金属層9を転写する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)