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1. (WO2013183437) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE GAZ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/183437    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/064011
Date de publication : 12.12.2013 Date de dépôt international : 21.05.2013
CIB :
H01L 21/302 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : SUEMASA Tomoki; (JP)
Mandataire : TAKAYAMA Hiroshi; Daisan Inoue Bldg. 3F, 5-8-1 Futago, Takatsu-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2130002 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-130815 08.06.2012 JP
Titre (EN) GAS TREATMENT METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE GAZ
(JA) ガス処理方法
Abrégé : front page image
(EN)In the present invention, a workpiece on which a silicon oxide film is formed is placed on the surface on a platform in a chamber; HF gas and NH3 gas, which are reaction gases, are discharged onto the workpiece on the platform via a plurality of gas discharge holes (62, 63) on a shower plate (58) provided above the platform so as to correspond to the workpiece placed on the platform; and a treatment for causing a reaction between the reaction gases and the silicon oxide film on the surface of the workpiece is performed. Subsequently, the reaction product is heated and removed by decomposition, whereby etching is performed. The shower plate (58) is divided into a plurality of regions (58a, 58b) in correspondence with the workpiece, and the gas discharge holes in one or more of the regions (58a, 58b) is blocked to control distribution of the HF gas and/or the NH3 gas.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de traitement de gaz, dans lequel une pièce, sur laquelle un film d'oxyde de silicium est formé, est placée sur la surface d'une plateforme dans une chambre ; du gaz HF et du gaz NH3, qui sont des gaz de réaction, sont déchargés sur la pièce placée sur la plateforme par l'intermédiaire d'une pluralité de trous de décharge de gaz (62, 63) sur une plaque de douche (58) placée au-dessus de la plateforme de façon à correspondre à la pièce placée sur la plateforme ; et il se produit un traitement servant à provoquer une réaction entre les gaz de réaction et le film d'oxyde de silicium sur la surface de la pièce. Ensuite, le produit de la réaction est chauffé et éliminé par décomposition, de telle sorte qu'on effectue un décapage. La plaque de douche (58) est divisée en une pluralité de régions (58a, 58b) correspondant à la pièce, et les trous de décharge de gaz situés dans une ou plusieurs des régions (58a, 58b) sont fermés pour commander la distribution du gaz HF et/ou du gaz NH3.
(JA) チャンバー内の載置台に表面にシリコン酸化膜が形成された被処理体を載置し、載置台の上方に載置台に載置された被処理体に対応するように設けられたシャワープレート(58)の複数のガス吐出孔(62,63)から載置台上の被処理体に反応ガスであるHFガスおよびNHガスを吐出して、これらと被処理体表面のシリコン酸化膜とを反応させる処理を行い、その後、この反応により生成した反応生成物を加熱して分解除去することによりエッチングするにあたり、シャワープレート(58)を被処理体に対応して複数の領域(58a,58b)に分け、複数の領域(58a,58b)のいずれか1以上の領域のガス吐出孔を塞いで、HFガスおよび/またはNHガスの分布を制御する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)