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1. (WO2013183230) APPAREIL D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'APPAREIL D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/183230    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/003072
Date de publication : 12.12.2013 Date de dépôt international : 14.05.2013
CIB :
G02F 1/1368 (2006.01), G02F 1/13 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : PANASONIC LIQUID CRYSTAL DISPLAY CO., LTD. [JP/JP]; 1-6, Megahida-cho, Shikama-ku, Himeji-shi, Hyogo 6728033 (JP)
Inventeurs : KAWACHI, Genshiro;
Mandataire : HARUKA PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS; Well Shin-Toshin Bldg. 4th Floor, 3-1-4, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-130258 07.06.2012 JP
Titre (EN) LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS
(FR) APPAREIL D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'APPAREIL D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This liquid crystal display apparatus has: an array substrate (2); a plurality of pixels demarcated by means of image signal lines (Y) and scanning signal lines (X), which are formed on the array substrate (2); a TFT (51), which is disposed on each of the pixels; and a pixel electrode, which is disposed in each of the pixels. A channel semiconductor layer of the TFT (51), and the pixel electrode are formed of one continuous oxide semiconductor layer (6), and in a state wherein a gate voltage is not applied, electric conductivity of the pixel electrode is higher than that of the channel semiconductor layer.
(FR)La présente invention porte sur un appareil d'affichage à cristaux liquides qui a : un substrat de réseau (2) ; une pluralité de pixels démarqués au moyen de lignes de signal d'image (Y) et de lignes de signal de balayage (X), qui sont formées sur le substrat de réseau (2) ; un transistor en couches minces (TFT) (51), qui est disposé sur chacun des pixels ; et une électrode de pixel, qui est disposée dans chacun des pixels. Une couche de semi-conducteur à canaux du TFT (51), et l'électrode de pixel sont formées d'une couche continue de semi-conducteur oxyde (6), et dans un étant dans lequel une tension de grille n'est pas appliquée, une conductivité électrique de l'électrode de pixel est supérieure à celle de la couche de semi-conducteur à canaux.
(JA) アレイ基板(2)と、アレイ基板(2)上に形成された映像信号線Yと走査信号線Xにより区画された複数の画素と、前記画素毎に配置されるTFT(51)と、前記画素内に配置される画素電極と、を有し、TFT(51)のチャネル半導体層と前記画素電極は一続きに連続する酸化物半導体の層(6)であり、ゲート電圧が印加されていない状態において、前記チャネル半導体層の電気伝導率より前記画素電極の電気伝導率が大きい液晶表示装置。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)