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1. (WO2013183207) DISPOSITIF À CELLULES SOLAIRES ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE GÉNÉRER DE L'ÉLECTRICITÉ AU MOYEN DU DISPOSITIF À CELLULES SOLAIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/183207    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/002417
Date de publication : 12.12.2013 Date de dépôt international : 09.04.2013
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Inventeurs : KOMORI, Tomoyuki; .
ARASE, Hidekazu;
Mandataire : SAMEJIMA, Mutsumi; AOYAMA & PARTNERS, Umeda Hankyu Bldg. Office Tower, 8-1, Kakuda-cho, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300017 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-128577 06.06.2012 JP
Titre (EN) SOLAR CELL DEVICE AND METHOD FOR GENERATING ELECTRICITY USING SOLAR CELL DEVICE
(FR) DISPOSITIF À CELLULES SOLAIRES ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE GÉNÉRER DE L'ÉLECTRICITÉ AU MOYEN DU DISPOSITIF À CELLULES SOLAIRES
(JA) 太陽電池素子、及び、太陽電池素子を用いて電力を発生させる方法
Abrégé : front page image
(EN)This solar cell device (9) is constructed by sequentially laminating a transparent substrate body (21), an MgxAg1-x layer (0.001≤x≤0.045) (22), a ZnO layer (23), a transparent conductive layer (3), and a photovoltaic conversion layer (4). The photovoltaic conversion layer (4) includes an n-type semiconductor layer (41) and a p-type semiconductor layer (42) and is further equipped with an n-side electrode (6) that is electrically connected to the n-type semiconductor layer and a p-side electrode (7) that is electrically connected to the p-type semiconductor layer. The MgxAg1-x layer (22) has a thickness of 2-13 nm, the ZnO layer has an arithmetic mean roughness of 20-870 nm, and the ZnO layer (23) comprises multiple columnar ZnO crystal grains grown on a surface of the MgxAg1-x layer. Each columnar ZnO crystal grain has a length direction along a normal direction of the transparent substrate body and has a width that increases from the MgxAg1-x layer (22) toward the transparent conductive layer (3). The width appears when each columnar ZnO crystal grain is cut along the normal direction of the transparent substrate body. Each columnar ZnO crystal grain has an R2/R1 ratio of 1.1-1.8, wherein R1 represents a width at one end of a columnar ZnO crystal grain in contact with the surface of the MgxAg1-x layer (22), and R2 represents a width at the other end of the columnar ZnO crystal grain.
(FR)Le dispositif à cellules solaires (9) selon l'invention est construit en stratifiant séquentiellement un corps de substrat transparent (21), une couche de MgxAg1-x (0,001 ≤ x ≤ 0,045) (22), une couche de ZnO (23), une couche conductrice transparente (3), et une couche de conversion photovoltaïque (4). La couche de conversion photovoltaïque (4) comprend une couche semi-conductrice de type n (41) et une couche semi-conductrice de type p (42) et est en outre équipée d'une électrode du côté de type n (6) qui est électriquement connectée à la couche semi-conductrice de type n et d'une électrode du côté de type p (7) qui est électriquement connectée à la couche semi-conductrice de type p. La couche de MgxAg1-x (22) a une épaisseur comprise entre 2 et 13 nm, la couche de ZnO a une rugosité moyenne arithmétique comprise entre 20 et 870 nm, et la couche de ZnO (23) comprend des grains de cristal de ZnO colonnaires multiples obtenus par croissance sur une surface de la couche de MgxAg1-x. Chaque grain de cristal de ZnO colonnaire a une direction de longueur le long d'une direction normale du corps de substrat transparent et a une largeur qui augmente depuis la couche de MgxAg1-x (22) vers la couche conductrice transparente (3). La largeur apparaît lorsque chaque grain de cristal de ZnO colonnaire est coupé le long de la direction normale du corps de substrat transparent. Chaque grain de cristal de ZnO colonnaire a un rapport R2/R1 compris entre 1,1 et 1,8, R1 représentant une largeur à une extrémité d'un grain de cristal de ZnO colonnaire en contact avec la surface de la couche de MgxAg1-x (22) et R2 représentant une largeur à l'autre extrémité du grain de cristal de ZnO colonnaire.
(JA)本発明の太陽電池素子(9)は、透明基板本体(21)と、MgxAg1-x層(0.001≦x≦0.045)(22)と、ZnO層(23)と、透明導電層(3)と、光電変換層(4)と、が順に積層されている。光電変換層(4)はn型半導体層(41)とp型半導体層(42)とを含み、n型半導体層に電気的に接続されたn側電極(6)と、p型半導体層に電気的に接続されたp側電極(7)と、をさらに備える。MgxAg1-x層(22)は2~13nmの厚みを有し、ZnO層は20~870nmの算術平均粗さを有し、ZnO層(23)はMgxAg1-x層の表面上に成長した複数のZnO柱状結晶粒により構成され、各ZnO柱状結晶粒は透明基板本体の法線方向に沿った長手方向を有すると共に、MgxAg1-x層(22)から透明導電層(3)に向けて増加する幅を有し、その幅は、透明基板本体の法線方向に沿って各ZnO柱状結晶粒を切断することにより現れ、各ZnO柱状結晶粒は、1.1~1.8のR2/R1比を有し、R1は、MgxAg1-x層(22)の表面に接するZnO柱状結晶粒の一端の幅を表し、R2は、ZnO柱状結晶粒の他端の幅を表わす。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)