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1. (WO2013183157) SOLUTION DE MATIÈRE PREMIÈRE POUR FORMATION DE SUPRACONDUCTEUR D'OXYDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/183157    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/064751
Date de publication : 12.12.2013 Date de dépôt international : 08.06.2012
CIB :
H01B 12/06 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (Tous Sauf US).
HONDA, Genki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGAISHI, Tatsuoki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HANAFUSA, Kei [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAGUCHI, Iwao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUI, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KONDO, Wakichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUMAGAI, Toshiya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HONDA, Genki; (JP).
NAGAISHI, Tatsuoki; (JP).
HANAFUSA, Kei; (JP).
YAMAGUCHI, Iwao; (JP).
MATSUI, Hiroaki; (JP).
KONDO, Wakichi; (JP).
KUMAGAI, Toshiya; (JP)
Mandataire : Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) STARTING-MATERIAL SOLUTION FOR FORMING OXIDE SUPERCONDUCTOR
(FR) SOLUTION DE MATIÈRE PREMIÈRE POUR FORMATION DE SUPRACONDUCTEUR D'OXYDE
(JA) 酸化物超電導体形成用の原料溶液
Abrégé : front page image
(EN)A starting-material solution for oxide superconductor (2) formation which is for forming an RE123 oxide superconductor (2) on a substrate (1) by a metal-organic deposition (MOD) method, the oxide superconductor (2) containing flux pinning sites incorporated thereinto. The starting-material solution for oxide superconductor (2) formation comprises a solution of organometallic compounds for forming the oxide superconductor (2) and, dispersed therein in a given amount, nanoparticles (3) for forming pinning sites. The nanoparticles (3) have a diameter of 5-100 nm. The organometallic compounds are fluorine-free organometallic compounds. Thus, a pinning material can be easily added even in an FF-MOD method, neither a treatment for pyrolyzing metal complexes nor a heat treatment for yielding a pinning compound is required, and the size of the pinning particles can be regulated to a suitable size.
(FR)L'invention concerne une solution de matière première pour formation d'un supraconducteur d'oxyde (2) destinée à former le supraconducteur d'oxyde (2), à base de terre rare 123 (RE123), dont un point d'ancrage de flux magnétique est introduit sur un substrat (1) par mise en œuvre d'une technique de revêtement/pyrolyse. Plus précisément, l'invention concerne une solution de matière première pour formation d'un supraconducteur d'oxyde (2) dans laquelle des nanoparticules (3) destinées à former un point d'ancrage, sont dispersées en quantité prédéfinie dans une solution dans laquelle est dissous un composé métal organique destiné à former le supraconducteur d'oxyde (2). Les nanoparticules (3) présentent un diamètre de 5 à 100nm. Le composé métal organique n'est pas fluoré. Ainsi, il est possible d'ajouter aisément un matériau d'ancrage dans le cadre d'un procédé sans fluor et à dépôt de métal organique (FF-MOD), et il est aussi possible de réguler de manière adéquate la taille des particules d'ancrage sans nécessiter de traitement de pyrolyse d'un complexe métallique ni de traitement thermique destiné à produire un composé d'ancrage.
(JA) 塗布熱分解法を用いて基板(1)上に磁束ピン止め点が導入されたRE123系の酸化物超電導体(2)を形成するための酸化物超電導体(2)形成用の原料溶液であって、酸化物超電導体(2)を形成するための有機金属化合物を溶解した溶液に、ピン止め点を形成するためのナノ粒子(3)を所定量分散させている酸化物超電導体(2)形成用の原料溶液。ナノ粒子(3)の粒径は、5~100nmである。有機金属化合物は、フッ素を含まない有機金属化合物である。これにより、FF-MOD法においても容易にピンの材料を添加することができ、金属錯体を熱分解する処理やピン化合物を生成させるための熱処理を必要とせず、ピンの粒子サイズを好適に制御することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)