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1. (WO2013182358) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES, ENSEMBLE DE GRILLES DE CONNEXIONS ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/182358    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/059233
Date de publication : 12.12.2013 Date de dépôt international : 03.05.2013
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01), G01R 31/26 (2006.01), H01L 33/48 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : SCHLERETH, Thomas; (DE).
BESTELE, Michael; (DE).
GÄRTNER, Christian; (DE).
GEBUHR, Tobias; (DE).
GALLMEIER, Hans-Christoph; (DE).
HOLZER, Peter; (DE).
ARNDT, Karlheinz; (DE).
SCHNEIDER, Albert; (DE)
Mandataire : ZUSAMMENSCHLUSS NR. 175, EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schlossschmidstr. 5 80639 Munich (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2012 104 882.7 05.06.2012 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN, LEITERRAHMENVERBUND UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
(EN) METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS, LEADFRAME ASSEMBLY AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES, ENSEMBLE DE GRILLES DE CONNEXIONS ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: Bereitstellen eines Leiterrahmenverbunds (20) mit einer Vielzahl von Leiterrahmen (2) mit je mindestens zwei Leiterrahmenteilen (21, 22); Umformen mindestens eines Teils des Leiterrahmenverbunds (20) mit einem Gehäusematerial für Gehäusekörper (4); Unterbrechen des Leiterrahmenverbunds (20) zwischen zumindest eines Teils von Spalten (C) und/oder Zeilen (R), wobei die Leiterrahmen (2) matrixförmig angeordnet bleiben; Bestücken der Leiterrahmen (2) mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterchip (3); Testen mindestens eines Teils der mit den Halbleiterchips (3) bestückten und mit dem Gehäusematerial umformten Leiterrahmen (2) nach dem Schritt des Unterbrechens; und Vereinzeln zu den Halbleiterbauteilen (1) nach dem Schritt des Umformens und nach dem Schritt des Testens.
(EN)The method for producing optoelectronic semiconductor components (1) is applied in an embodiment and involves the following steps: preparing a leadframe assembly (20) comprising a plurality of leadframes (2) each with at least two leadframe parts (21, 22); forming at least one part of the leadframe assembly (20) using a housing material for housing bodies (4); dividing the leadframe assembly (20) between at least one part of columns (C) and/or rows (R), the leadframes (2) remaining arranged in the form of a matrix; equipping the leadframes (2) with at least one optoelectronic semiconductor chip (3); testing at least one portion of the leadframes (2) that are equipped with the semiconductor chips (3) and that are formed with the housing material after the dividing step; and separating into the semiconductor elements (1) after the forming step and after the testing step.
(FR)Dans un mode de réalisation, l'invention concerne un procédé de fabrication de composants semi-conducteurs optoélectroniques (1), comprenant les étapes consistant à : préparer un ensemble de grilles de connexions (20) qui comprend une pluralité de grilles de connexions (2) comportant chacune au moins deux parties de grille de connexions (21, 22); surmouler une partie au moins de l'ensemble de grilles de connexions (20) avec un matériau d'encapsulation pour corps de boîtiers (4); interrompre l'ensemble de grilles de connexions (20) entre au moins une partie de colonnes (C) et/ou de rangées (R), les grilles de connexions (2) restant disposées sous la forme d'une matrice; monter sur les grilles de connexions (2) au moins une puce de semi-conducteur optoélectronique (3); tester une partie au moins des grilles de connexions (2) équipées des puces de semi-conducteurs optoélectroniques (3) et surmoulées avec le matériau d'encapsulation après l'étape d'interruption; et séparation en composants semi-conducteurs (1) après l'étape de surmoulage et après l'étape de test.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)