WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013181909) TRANSISTOR EN COUCHE MINCE ET SUBSTRAT À RÉSEAU ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE CEUX-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/181909    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/086306
Date de publication : 12.12.2013 Date de dépôt international : 10.12.2012
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/45 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No. 10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : SUN, Shuang; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; A0601, Huibin Building, No.8 Beichen Dong Street Chaoyang District Beijing 100101 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210189705.3 08.06.2012 CN
Titre (EN) THIN-FILM TRANSISTOR AND ARRAY SUBSTRATE AND METHODS OF FABRICATING SAME
(FR) TRANSISTOR EN COUCHE MINCE ET SUBSTRAT À RÉSEAU ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE CEUX-CI
(ZH) 薄膜晶体管和阵列基板及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a thin-film transistor and an array substrate (1) and methods of fabricating same. The thin-film transistor comprises a substrate (1) and a gate (2), a gate insulating layer (3), a semiconductor layer (4), a protection layer (5), an ohmic contact layer (6), a source electrode (7), and a drain electrode (8) sequentially covering the substrate (1). The protection layer (5) above the semiconductor layer (4) has two through holes (11) to expose the semiconductor layer (4) below, and the semiconductor layer (4) exposed through the holes (11) are covered with the ohmic contact layer (6). The source electrode (7) and the drain electrode (8) are connected to the semiconductor layer (4) the ohmic contact layer (6) through the through holes (11).
(FR)L'invention concerne un transistor en couche mince et un substrat à réseau (1) et des procédés de fabrication de ceux-ci. Le transistor en couche mince comprend un substrat (1) et une grille (2), une couche d'isolation de grille (3), une couche de semi-conducteur (4), une couche de protection (5), une couche à contact ohmique (6), une électrode de source (7), et une électrode de drain (8) recouvrant de manière séquentielle le substrat (1). La couche de protection (5) au-dessus de la couche de semi-conducteur (4) possède deux trous traversants (11) pour exposer la couche de semi-conducteur (4) située au-dessous, et la couche de semi-conducteur (4) exposée à travers les trous (11) est recouverte avec la couche à contact ohmique (6). L'électrode de source (7) et l'électrode de drain (8) sont connectées à la couche de semi-conducteur (4) et à la couche à contact ohmique (6) par l'intermédiaire des trous traversants (11).
(ZH)提供一种薄膜晶体管和阵列基板(1)及其制造方法。所述薄膜晶体管包括基板(1)和依次覆盖在基板(1)上的栅极(2)、栅极绝缘层(3)、半导体层(4)、保护层(5)、欧姆接触层(6)、源电极(7)和漏电极(8),其中,半导体层(4)上方的保护层(5)有两个过孔(11)以露出下方的半导体层(4),由过孔(11)露出的半导体层(4)覆盖有欧姆接触层(6);所述源电极(7)和漏电极(8)通过过孔(11)处的欧姆接触层(6)与所述半导体层(4)连接。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)