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1. (WO2013181467) TERMINAISON DE BORDURE ÉQUILIBRÉE PAR UNE CHARGE ADAPTATIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/181467    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/043477
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 30.05.2013
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : VISHAY-SILICONIX [US/US]; 2201 Laurelwood Road Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : PATTANAYAK, Deva N.; (US).
TIPIRNENI, Naveen; (US)
Mandataire : GALLENSON, Mavis S.; 5670 Wilshire Boulevard, Suite 2100 Los Angeles, California 90036 (US)
Données relatives à la priorité :
13/484,114 30.05.2012 US
Titre (EN) ADAPTIVE CHARGE BALANCED EDGE TERMINATION
(FR) TERMINAISON DE BORDURE ÉQUILIBRÉE PAR UNE CHARGE ADAPTATIVE
Abrégé : front page image
(EN)In one embodiment, a semiconductor device can include a substrate including a first type dopant. The semiconductor device can also include an epitaxial layer located above the substrate and including a lower concentration of the first type dopant than the substrate. In addition, the semiconductor device can include a junction extension region located within the epitaxial layer and including a second type dopant. Furthermore, the semiconductor device can include a set of field rings in physical contact with the junction extension region and including a higher concentration of the second type dopant than the junction extension region. Moreover, the semiconductor device can include an edge termination structure in physical contact with the set of field rings.
(FR)L'invention concerne, dans l'un de ses modes de réalisation, un dispositif qui comporte plusieurs éléments, et notamment un substrat, une couche épitaxiale, une région d'extension de jonction, un ensemble d'anneaux de champs, et une structure de terminaison de bordure. Le substrat inclut un dopant d'un premier type. La couche épitaxiale, située au-dessus du substrat, inclut le dopant de premier type à une concentration inférieure à celle du dopant dans le substrat. La région d'extension de jonction, située à l'intérieur de la couche épitaxiale, comporte un dopant d'un second type. Lesdits anneaux de champs, qui sont en contact physique avec la région d'extension de jonction, présentent une concentration en dopant du second type supérieure à celle de ce même dopant dans la région d'extension de jonction. Enfin, la structure de terminaison de bordure est en contact physique avec l'ensemble d'anneaux de champs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)