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1. (WO2013181053) LIAISON DE TRANCHE DIRECTE ENTRE DU NITRURE DE GALLIUM ET DU SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/181053    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/042380
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 23.05.2013
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza Corning, New York 14831 (US)
Inventeurs : USENKO, Alexander; (US)
Mandataire : RUSSELL, Michael W; Corning Incorporated Intellectual Property Department SP-Ti-03-01 Corning, New York 14831 (US)
Données relatives à la priorité :
13/484,542 31.05.2012 US
Titre (EN) GALLIUM NITRIDE TO SILICON DIRECT WAFER BONDING
(FR) LIAISON DE TRANCHE DIRECTE ENTRE DU NITRURE DE GALLIUM ET DU SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A direct wafer bonding process for joining GaN and silicon substrates involves pre-treating each of the wafers in an ammonia plasma in order to render the respective contact surfaces ammophilic. The GaN substrate and the silicon substrate may each comprise single crystal wafers. The resulting hybrid semiconductor structure can be used to form high quality, low cost LEDs.
(FR)La présente invention concerne un procédé de liaison de tranche directe permettant de joindre des substrats en GaN et en silicium, qui consiste à prétraiter chacune des tranches dans un plasma à l'ammoniac dans le but de rendre ammophiles les surfaces de contact respectives. Le substrat en GaN et le substrat en silicium peuvent chacun comprendre des tranches monocristallines. La structure semi-conductrice hybride résultante peut être utilisée pour former des DEL de haute qualité à faible coût.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)