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1. (WO2013180854) TRANCHE DE SILICIUM REVÊTUE D'UNE COUCHE DE PASSIVATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/180854    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/038096
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 25.04.2013
CIB :
H01L 31/0216 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : DOW CORNING CORPORATION [US/US]; 2200 West Salzburg Road Midland, MI 48686-0994 (US)
Inventeurs : LEEMPOEL, Patrick; (BE)
Mandataire : PURCHASE, Claude, F.; Dow Corning Corporation Patent Department - Mail CO1232 2200 West Salzburg Road Midland, MI 48686-0994 (US)
Données relatives à la priorité :
1209695.4 31.05.2012 GB
Titre (EN) SILICON WAFER COATED WITH PASSIVATION LAYER
(FR) TRANCHE DE SILICIUM REVÊTUE D'UNE COUCHE DE PASSIVATION
Abrégé : front page image
(EN)A method to form a dielectric layer on a silicon surface with the purpose of passivating the newly formed Si/dielectric interface to increase the conversion efficiency of a photovoltaic device made from the silicon wafer. The coated silicon wafers may be suitable for use in photovoltaic cells which convert energy from light impinging on the front face of the cell into electrical energy.
(FR)Cette invention concerne un procédé de formation d'une couche diélectrique sur une surface de silicium à des fins de passivation de l'interface Si/diélectrique nouvellement formée pour augmenter le rendement de conversion d'un dispositif photovoltaïque fabriqué à partir d'une tranche de silicium. Les tranches de silicium ainsi revêtues conviennent à une utilisation dans des cellules photovoltaïques qui convertissent l'énergie lumineuse incidente à la face avant de la cellule en énergie électrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)