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1. (WO2013180483) TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR CONÇUE PAR ÉPITAXIE AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/180483    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/004754
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 30.05.2013
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : LG INNOTEK CO., LTD. [KR/KR]; 20 Yeouido-dong Yeongdeungpo-gu Seoul 150-875 (KR)
Inventeurs : KANG, SeokMin; (KR).
KIM, Jihye; (KR).
KIM, Ickchan; (KR)
Mandataire : DANA PATENT LAW FIRM; 5th Floor, BYC Bldg., 648-1, Yeoksam-dong Gangnam-gu Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0057179 30.05.2012 KR
Titre (EN) SILICON CARBIDE EPIWAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR CONÇUE PAR ÉPITAXIE AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing an epiwafer, according to one embodiment, comprises the steps of: preparing a wafer inside a susceptor; surface-treating the wafer by heating the susceptor and injecting surface treatment gas; and growing an epilayer on the wafer. The epiwafer, according to the embodiment, comprises the wafer; and the epilayer which is formed on the wafer, wherein surface defects of the wafer is 0.5 ea/cm2.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de fabrication d'une tranche de semi-conducteur conçue par épitaxie qui comprend, selon un mode de réalisation, les étapes suivantes : préparer une tranche de semi-conducteur à l'intérieur d'un suscepteur ; traiter en surface la tranche de semi-conducteur par chauffage du suscepteur et injection d'un gaz de traitement de surface ; et faire croître une couche épitaxiale sur la tranche de semi-conducteur. La tranche de semi-conducteur conçue par épitaxie, selon le mode de réalisation, comprend la tranche de semi-conducteur ; et la couche épitaxiale qui est formée sur la tranche de semi-conducteur, des défauts de surface de la tranche de semi-conducteur valant 0,5 ea/cm².
(KO)실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 방법은, 서셉터 내에 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 서셉터를 가열하고 표면처리 가스를 투입하여 상기 웨이퍼를 표면 처리하는 단계; 및 상기 웨이퍼 상에 에피층을 성장시키는 단계를 포함한다. 실시예에 따른 에피 웨이퍼는, 웨이퍼; 및 상기 웨이퍼 상에 형성되는 에피층을 포함하고, 상기 웨이퍼의 표면 결함은 0.5 ea/㎠ 이다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)