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1. (WO2013180451) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/180451    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/004677
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 28.05.2013
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : JUSUNG ENGINEERING CO., LTD. [KR/KR]; 240, Opo-ro, Opo-eup, Gwangju-si Gyeonggi-do 464-892 (KR)
Inventeurs : KWAK, Jae Chan; (KR)
Mandataire : ASTRAN INT'L IP GROUP; (ShinSung Building, Yeoksam-dong) 5th Floor, 233, Yeoksam-ro, Gangnam-gu, Seoul 135-514 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0057022 29.05.2012 KR
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(KO) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a substrate processing device and a substrate processing method capable of preventing damage of a substrate due to plasma. The substrate processing device, according to the present invention, comprises: a process chamber; a substrate support part mounted on the bottom surface of the process chamber so as to support at least one substrate; a chamber lid covering the upper part of the process chamber such that the chamber lid faces the substrate support part; and a gas spraying part which is mounted on the chamber lid for spraying a source gas onto a source gas spraying area on the substrate support part, spraying a reaction gas onto a reaction gas spraying area which is spatially separated from the source gas spraying area, and spraying a purge gas between the source gas spraying area and the reaction gas spraying area.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de traitement de substrat et un procédé de traitement de substrat capables d'empêcher un dommage à un substrat en raison d'un plasma. Le dispositif de traitement de substrat, selon la présente invention, comprend : une chambre de traitement ; une partie support de substrat montée sur la surface inférieure de la chambre de traitement de façon à soutenir au moins un substrat ; un couvercle de chambre couvrant la partie supérieure de la chambre de traitement de sorte que le couvercle de chambre soit tourné vers la partie support de substrat ; et une partie pulvérisation de gaz qui est montée sur le couvercle de chambre pour pulvériser un gaz source sur une zone de pulvérisation de gaz source sur la partie support de substrat, pulvériser un gaz de réaction sur une zone de pulvérisation de gaz de réaction qui est espacée de la zone de pulvérisation de gaz source, et pulvériser un gaz de purge entre la zone de pulvérisation de gaz source et la zone de pulvérisation de gaz de réaction.
(KO)본 발명은 플라즈마에 의한 기판의 손상을 방지할 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 바닥면에 설치되어 적어도 하나의 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 기판 지지부 상의 소스 가스 분사 영역에 소스 가스를 분사하고 상기 소스 가스 분사 영역과 공간적으로 분리된 반응 가스 분사 영역에 반응 가스를 분사함과 아울러 상기 소스 가스 분사 영역과 상기 반응 가스 분사 영역 사이에 퍼지 가스를 분사하는 가스 분사부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)