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1. (WO2013180300) FIL EN ALUMINIUM POUR SEMI-CONDUCTEUR ÉLECTRIQUE, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT LEDIT FIL EN ALUMINIUM, ET PROCÉDÉ DE RECHERCHE DUDIT FIL EN ALUMINIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/180300    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/065302
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 27.05.2013
CIB :
H01L 21/60 (2006.01), H01L 25/00 (2006.01)
Déposants : IBARAKI UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Bunkyo 2-chome, Mito-shi, Ibaraki 3108512 (JP).
NIPPON PISTON RING CO., LTD. [JP/JP]; 5-12-10, Honmachi-higashi, Chuo-ku, Saitama-shi, Saitama 3388503 (JP)
Inventeurs : ONUKI, Jin; (JP).
TAMAHASHI, Kunihiro; (JP).
FUJII, Yoshitaka; (JP)
Mandataire : EGUCHI, Shuji; C/O HITACHINAKA TECHNO CENTER CO. LTD., 38, Shinko-cho, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3120005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-122183 29.05.2012 JP
Titre (EN) ALUMINUM WIRE FOR POWER SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAID ALUMINUM WIRE, AND SEARCHING METHOD FOR SAID ALUMINUM WIRE
(FR) FIL EN ALUMINIUM POUR SEMI-CONDUCTEUR ÉLECTRIQUE, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT LEDIT FIL EN ALUMINIUM, ET PROCÉDÉ DE RECHERCHE DUDIT FIL EN ALUMINIUM
(JA) パワー半導体用アルミニウムワイヤ及び該アルミニウムワイヤを用いた半導体装置、並びに該アルミニウムワイヤの探索方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are: a bonding Al wire capable of attaining a bonding connection which is more reliable than a conventional bonding connection and which permits a rise in the operation temperature of a power semiconductor device; a semiconductor device using said Al wire; and a searching method for said Al wire. This bonding Al wire consists of an aluminum alloy which exhibits a tangent coefficient (TC) of 300MPa/% or more, preferably 400MPa/% or more in the stress-strain diagram measured in a temperature range of room temperature to 300°C. The tangent coefficient (TC) is a post-yield true stress-true strain slope determined by calculating the ratio (Δρt/Δεt) of true stress difference (Δρt) to true strain difference (Δεt) in the post-yield curve in the diagram. The procedure for selecting an Al alloy exhibiting a tangent coefficient (TC) of 300MPa/% or more is useful as an easy and efficient searching method for a highly reliable bonding Al wire.
(FR)La présente invention concerne : un fil de liaison en Al capable d'obtenir une connexion de liaison qui est plus fiable qu'une connexion de liaison classique et qui permet une montée de la température de fonctionnement d'un dispositif semi-conducteur électrique ; un dispositif semi-conducteur utilisant ledit fil en Al ; et un procédé de recherche pour ledit fil en Al. Ce fil de liaison en Al consiste en un alliage d'aluminium qui montre un coefficient de tangente (TC) supérieur ou égal à 300 MPa/%, de préférence supérieur ou égal à 400 MPa/% dans le diagramme contrainte-déformation mesuré dans une plage de température allant de la température ambiante à 300 °C. Le coefficient de tangente (TC) est une pente de contrainte réelle/déformation réelle post-rendement déterminée par le calcul du rapport (Δρt/Δεt) de la différence de contrainte réelle (Δρt) à la différence de déformation réelle (Δεt) dans la courbe post-rendement du diagramme. La procédure permettant de sélectionner un alliage d'Al montrant un coefficient de tangente (TC) supérieur ou égal à 300 MPa/% est utile en tant que procédé de recherche simple et efficace pour un fil de liaison en Al extrêmement fiable.
(JA) パワー半導体デバイスの動作温度の上昇に対して、従来以上の高信頼性を有するボンディング接続部を実現できるボンディングAlワイヤ及び該Alワイヤを用いた半導体装置、並びに該Alワイヤの探索方法を提供する。本発明のボンディングAlワイヤは、アルミニウム合金からなり、室温から300℃の温度範囲で実測される応力と歪との関係を示す曲線(応力-歪線図)において、該応力-歪線図の降伏後の線図から真応力の差分(Δρt)と真歪の差分(Δεt)との比(Δρt/Δεt)を算出することによって降伏後の真歪に対する真応力の傾きとして求められる接線係数TCが300MPa/%以上、好ましくは400MPa/%以上である。前記の接線係数TCが300MPa/%以上であるAl合金を選択する方法は、簡便で効率的な高信頼性ボンディングAlワイヤの探索方法として適用できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)