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1. (WO2013180258) PRODUIT D'ÉTANCHÉITÉ POUR DISPOSITIF ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE, DISPOSITIF ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE L'UTILISANT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR DISPOSITIF ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/180258    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/065150
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 31.05.2013
CIB :
H01L 33/56 (2010.01), C08G 77/04 (2006.01), C08K 3/22 (2006.01), C08L 83/04 (2006.01)
Déposants : KONICA MINOLTA, INC. [JP/JP]; 2-7-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015 (JP)
Inventeurs : MOCHIZUKI,Makoto; (JP)
Mandataire : MISAWA PATENT OFFICE, P.C.; Nippan Bldg., 15-8, Nishishinjuku 7-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-124167 31.05.2012 JP
Titre (EN) SEALANT FOR LIGHT-EMITTING DEVICE, LIGHT-EMITTING DEVICE USING SAME, AND PRODUCTION METHOD FOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) PRODUIT D'ÉTANCHÉITÉ POUR DISPOSITIF ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE, DISPOSITIF ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE L'UTILISANT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR DISPOSITIF ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE
(JA) 発光装置用封止材、及びこれを用いた発光装置、並びに発光装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a sealant for a light-emitting device that achieves both adhesiveness and resistance to cracks, that has high sulfurization resistance and moisture/heat resistance, and that is capable of sealing a light-emitting element. The sealant for a light-emitting device is for sealing a light-emitting element. Also provided is a member for a semiconductor light-emitting device that is obtained through a process that involves drying a compound represented by Si(OR1)mY4-m and/or a hydrolyzed or polycondensation compound of the oligomer of the aforementioned compound. The sealant and the member are characterized in that, with regards to the solid-state Si-nuclear magnetic resonance spectrum, the molar ratio of silicon corresponding to Qn compounds in relation to the total silicon is 25-60%, the molar ratio of silicon corresponding to Tn compounds in relation to the total silicon is 25-60%, the molar ratio of silicon corresponding to Dn compounds in relation to the total silicon is less than 30%, and the silicon content is 20 wt% or more.
(FR)L'invention concerne un produit d'étanchéité pour un dispositif émettant de la lumière qui atteint à la fois une adhésivité et une résistance aux fissures, qui a une résistance élevée à la sulfuration et une résistance élevée à l'humidité/à la chaleur et qui est apte à étanchéifier un élément émettant de la lumière. Le produit d'étanchéité pour un dispositif émettant de la lumière est destiné à étanchéifier un élément émettant de la lumière. L'invention concerne également un élément pour un dispositif émettant de la lumière semi-conducteur qui est obtenu par un procédé qui implique le séchage d'un composé représenté par Si(OR1)mY4-m et/ou d'un composé hydrolysé ou de polycondensation de l'oligomère du composé mentionné ci-dessus. Le produit d'étanchéité et l'élément sont caractérisés en ce que, par rapport au spectre de résonnance magnétique nucléaire de Si à l'état solide, le rapport molaire du silicium correspondant aux composés Qn par rapport au silicium total est 25-60 %, le rapport molaire du silicium correspondant aux composés Tn par rapport au silicium total est 25-60 %, le rapport molaire du silicium correspondant aux composés Dn par rapport au silicium total est de moins de 30 % et la teneur en silicium est 20 % en poids ou plus.
(JA) 密着性とクラック耐性が両立し、かつ、高い硫化耐性と湿熱耐性を有し、発光素子を封止することが可能な発光装置用封止材を提供する。発光素子を封止するための発光装置用封止材であって、Si(OR4-mで表される化合物、及びそのオリゴマーの加水分解・重縮化合物の少なくとも一方を乾燥する工程を経て得られる半導体発光デバイス用部材であって、固体Si-核磁気共鳴スペクトルにおいて、全ケイ素に対するQ化合物に該当するケイ素のモル比が25%以上60%以下、全ケイ素に対するT化合物に該当するケイ素のモル比が25%以上60%以下、全ケイ素に対するD化合物に該当するケイ素のモル比が30%未満であり、かつ、ケイ素含有率が20重量%以上であることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)