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1. (WO2013180230) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE CONTENANT DE L'OXYDE MÉTALLIQUE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/180230    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/065078
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 30.05.2013
CIB :
H01L 21/368 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/42 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008251 (JP)
Inventeurs : OTSUBO Saika; (JP).
ARAMAKI Shinji; (JP).
YAMAZAKI Masanori; (JP).
YAMAUCHI Ritsuko; (JP).
TAKEI Izuru; (JP).
YOKOYAMA Takamichi; (JP).
SATO Yoshiharu; (JP)
Mandataire : HAMADA Yuriko; Eikoh Patent Firm, Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-126227 01.06.2012 JP
2012-214659 27.09.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING METAL OXIDE-CONTAINING SEMICONDUCTOR LAYER AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE CONTENANT DE L'OXYDE MÉTALLIQUE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 金属酸化物含有半導体層の製造方法及び電子デバイス
Abrégé : front page image
(EN)A method for producing a metal oxide-containing semiconductor layer, which is characterized by comprising: a step wherein an ink that contains an unsaturated carboxylic acid metal salt represented by formula (I) is applied over a base; and a step wherein a heat treatment is carried out after the application. (In formula (I), each of R1, R2 and R3 independently represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent; M represents an m-valent metal atom; and m represents an integer of 2-5 (inclusive). In this connection, the m-number of CR1R2=CR3-COO- moieties may be the same as or different from each other.)
(FR)La présente invention a trait à un procédé de production d'une couche semi-conductrice contenant de l'oxyde métallique, lequel procédé de production est caractérisé en ce qu'il comprend : une étape au cours de laquelle une encre qui contient un sel métallique d'acide carboxylique non saturé représenté par la formule (I) est appliquée au-dessus d'une base ; et une étape au cours de laquelle un traitement thermique est effectué après l'application. (Dans la formule (I), chacun des éléments R1, R2 et R3 représente indépendamment un atome d'hydrogène ou un substituant arbitraire ; M représente un atome métallique de valence m ; et m représente un nombre entier de 2 à 5 (inclus). Dans cette liaison, le nombre m des fragments CR1R2=CR3-COO- peut être identique ou différent.)
(JA) 基材上に式(I)で表される不飽和カルボン酸金属塩を含有するインクを塗布する工程と、前記塗布後に熱処理を行う工程と、を有することを特徴とする金属酸化物含有半導体層の製造方法。(式(I)中、R、R及びRは、それぞれ独立して水素原子又は任意の置換基であり、Mはm価の金属原子であり、mは2以上5以下の整数である。m個のCR=CR-COOは、同じであっても互いに異なっていてもよい。)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)