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1. (WO2013180221) TRANCHE DE SILICIUM POUR CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/180221    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/065050
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 30.05.2013
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : NIPPON KASEI CHEMICAL COMPANY LIMITED [JP/JP]; 34, Aza-Takayama, Onahama, Iwaki-shi, Fukushima 9718101 (JP)
Inventeurs : ABE, Shuuji; (JP).
SUZUKI, Tatsunobu; (JP).
ONUMA, Mitsuo; (JP)
Mandataire : OKADA, Kazuhiko; Okada & Associates, 6F, Kudan Kangyo Bldg., 10-1, Kudankita 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020073 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-123943 31.05.2012 JP
Titre (EN) SILICON WAFER FOR SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) TRANCHE DE SILICIUM POUR CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI
(JA) 太陽電池用シリコンウエハー及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a solar cell substrate in which is used a polycrystalline silicon wafer, wherein the substrate further reduces reflection of incident light. The solar cell substrate is made of the polycrystalline silicon wafer having an irregular surface formed by wet etching, the three-dimensional surface roughness of the irregular surface being 2.0 to 4.0 as defined below. The three-dimensional surface roughness signifies a value obtained by measuring the surface area of the irregular surface of the polycrystalline silicon wafer under a measurement magnification of 3000 times and an observation field of 6512 µm2 using a laser microscope ("VK-9700" made by KEYENCH), and dividing the obtained value by the observation field.
(FR)L'invention concerne un substrat de cellule solaire utilisant une tranche de silicium polycristallin, ledit substrat permettant en outre de réduire la réflexion de lumière incidente. Ce substrat de cellule solaire est fait de la tranche de silicium polycristallin, qui présente une surface irrégulière formée par gravure humide, la rugosité de surface tridimensionnelle de la surface irrégulière étant comprise entre 2,0 et 4,0, tel que défini ci-après. La rugosité de surface tridimensionnelle représente la valeur qu'on obtient en mesurant la superficie de la surface irrégulière de la tranche de silicium polycristallin, selon un grossissement de 3000x et un champ d'observation de 6512 µm2, au moyen d'un microscope confocal à balayage laser ("VK-9700" fabriqué par KEYENCE), et en divisant la valeur obtenue par le champ d'observation.
(JA) 多結晶シリコンウエハーを使用した太陽電池用基板であって、入射光に対する反射を一層低減した太陽電池用基板を提供する。 湿式エッチングによって形成された凹凸表面を有する多結晶シリコンウエハーから成り、以下に定義する凹凸表面の立体的表面粗さが2.0~4.0である太陽電池用基板。 上記の立体的表面粗さは、レーザーマイクロスコープ:KEYENCH社製「VK-9700」を使用し、測定時倍率:3,000倍、観察視野:6,512μmの条件下で、多結晶シリコンウエハーの凹凸表面の表面積を計測し、その値を観察視野で除した値を意味する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)