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1. (WO2013180137) PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR UNE COUCHE MINCE SEMI-CONDUCTRICE COMPOSÉE, ET PILE SOLAIRE DOTÉE DE LADITE COUCHE MINCE SEMI-CONDUCTRICE COMPOSÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/180137    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/064794
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 28.05.2013
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : TOPPAN PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 5-1, Taito 1-chome, Taito-ku, Tokyo 1100016 (JP).
TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 2-12-1, Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 1528550 (JP).
RYUKOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 67, Tsukamoto-cho, Fukakusa, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128577 (JP)
Inventeurs : ZHANG, Yiwen; (JP).
YAMADA, Akira; (JP).
WADA, Takahiro; (JP)
Mandataire : KURATA, Masatoshi; c/o SUZUYE & SUZUYE, 6th floor, Kangin-Fujiya Bldg., 1-3-2, Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-123783 30.05.2012 JP
Titre (EN) PRODUCTION METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND SOLAR CELL PROVIDED WITH SAID COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR UNE COUCHE MINCE SEMI-CONDUCTRICE COMPOSÉE, ET PILE SOLAIRE DOTÉE DE LADITE COUCHE MINCE SEMI-CONDUCTRICE COMPOSÉE
(JA) 化合物半導体薄膜の作製方法およびその化合物半導体薄膜を備える太陽電池
Abrégé : front page image
(EN)The production method for a compound semiconductor thin film of the present invention is characterized by comprising: a step in which a compound semiconductor coat is formed by applying or printing an ink for the production of a compound semiconductor thin film that contains 50 mass% or more of compound nanoparticles having an amorphous form; a step in which pressure is mechanically applied to the compound semiconductor coat; and a step in which the compound semiconductor coat is heat treated in order to form a compound semiconductor thin film.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication pour une couche mince semi-conductrice composée qui est caractérisé en ce qu'il comprend : une étape dans laquelle un revêtement semi-conducteur composé est formé par l'application ou l'impression d'une encre pour la fabrication d'une couche mince semi-conductrice composée qui contient 50 % en masse ou plus de nanoparticules composées possédant une forme amorphe; une étape dans laquelle une pression est mécaniquement appliquée au revêtement semi-conducteur composé; et une étape dans laquelle le revêtement semi-conducteur composé est traité à chaud dans le but de former une couche mince semi-conductrice composée.
(JA) アモルファス状である化合物ナノ粒子を50質量%以上含む化合物半導体薄膜作製用インクを塗布または印刷し、化合物半導体塗膜を形成する工程、前記化合物半導体塗膜に機械的に圧力を加える工程、及び前記化合物半導体塗膜を熱処理し、化合物半導体薄膜を形成する工程を具備することを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)