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1. (WO2013180036) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRATIFIÉ CONDUCTEUR EN COUCHE MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/180036    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/064533
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 24.05.2013
CIB :
H05B 33/10 (2006.01), C08G 73/02 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/02 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008251 (JP)
Inventeurs : ISOJIMA Tatsushi; (JP).
OHSHIMA Yuki; (JP)
Mandataire : HAMADA Yuriko; Eikoh Patent Firm, Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-121147 28.05.2012 JP
2012-144392 27.06.2012 JP
2012-182611 21.08.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING CONDUCTIVE THIN FILM LAMINATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRATIFIÉ CONDUCTEUR EN COUCHE MINCE
(JA) 導電性薄膜積層体の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is a method for producing a conductive thin film laminate that comprises a substrate and a conductive thin film formed on the substrate. The conductive thin film is formed by applying a conductive thin film precursor over the substrate or over a conductive thin film formed on the substrate, and then heating the applied precursor with infrared light. The substrate has the minimum value of infrared light transmittance within the wavelength range of 2,000-3,300 nm, and the product (α) of the wavelength at the minimum value of infrared light transmittance and the peak wavelength of the infrared light is from 2 μm2 to 16 μm2 (inclusive).
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un stratifié conducteur en couche mince qui comporte un substrat et une couche mince conductrice, formée sur le substrat. La couche mince conductrice est formée par l'application d'un précurseur de couche mince conductrice sur le substrat ou sur une couche mince conductrice formée sur le substrat, puis par le chauffage du précurseur appliqué avec une lumière infrarouge. Le substrat possède la valeur minimale de facteur de transmission de la lumière infrarouge dans la plage de longueur d'onde de 2000 à 3300 nm, et le produit (α) de la longueur d'onde à la valeur minimale du facteur de transmission de la lumière infrarouge et de la longueur d'onde maximale de la lumière infrarouge est compris entre 2 µm2 et 16 µm2 (inclus).
(JA) 本発明は、基板と基板上に形成された導電性薄膜とを含む、導電性薄膜積層体の製造方法であって、前記導電性薄膜は、導電性薄膜前駆体を基板上又は該基板上に形成された導電性薄膜上に塗布し、次いで赤外線で加熱され形成されるものである。前記基板は、波長2000~3300nmの範囲に赤外線透過率の極小値を有し、前記赤外線透過率の極小値における波長と該赤外線のピーク波長との積(α)が2μm以上16μm以下である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)