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1. (WO2013179897) MATÉRIAU THERMOÉLECTRIQUE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET MODULE DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE UTILISANT CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/179897    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/063580
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 15.05.2013
CIB :
H01L 35/32 (2006.01), H01L 35/14 (2006.01), H01L 35/34 (2006.01)
Déposants : JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 1-8, Honcho 4-chome, Kawaguchi-shi, Saitama 3320012 (JP)
Inventeurs : NAKAMURA, Yoshiaki; (JP).
ISOGAWA, Masayuki; (JP).
UEDA, Tomohiro; (JP).
KIKKAWA, Jun; (JP).
SAKAI, Akira; (JP).
HOSONO, Hideo; (JP)
Mandataire : SAMEJIMA, Mutsumi; AOYAMA & PARTNERS, Umeda Hankyu Bldg. Office Tower, 8-1, Kakuda-cho, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300017 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-124940 31.05.2012 JP
Titre (EN) THERMOELECTRIC MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND THERMOELECTRIC CONVERSION MODULE USING SAME
(FR) MATÉRIAU THERMOÉLECTRIQUE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET MODULE DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE UTILISANT CELUI-CI
(JA) 熱電材料及びその製造方法並びにそれを用いた熱電変換モジュール
Abrégé : front page image
(EN)This thermoelectric material is provided with a semiconductor substrate, a semiconductor oxide film that is formed on the substrate, and a thermoelectric layer that is arranged on the oxide film. The semiconductor oxide film is provided with a first nano-opening, and the thermoelectric layer is in the form of a plurality of semiconductor nano-dots piled up on the first nano-opening so as to have a particle packed structure. At least some of the plurality of semiconductor nano-dots have second nano-openings formed in the surfaces thereof, and are connected with each other through the second nano-openings, with the crystal orientations thereof being aligned with each other. This thermoelectric material can be produced through: a step wherein a semiconductor substrate is oxidized, thereby forming a semiconductor oxide film thereon; a step wherein a first nano-opening is formed in the oxide film; and a step wherein a plurality of semiconductor nano-dots are piled up on the first nano-opening by epitaxial growth. A thermoelectric material having excellent thermoelectric conversion performance can be achieved by this configuration.
(FR)La présente invention a trait à un matériau thermoélectrique qui est équipé d'un substrat semi-conducteur, d'un film d'oxyde semi-conducteur qui est formé sur le substrat et d'une couche thermoélectrique qui est agencée sur le film d'oxyde. Le film d'oxyde semi-conducteur est équipé d'une première nano-ouverture et la couche thermoélectrique se présente sous la forme d'une pluralité de nano-points semi-conducteurs accumulés sur la première nano-ouverture de manière à être dotée d'une structure sous boîtier de particules. Au moins certains des nano-points semi-conducteurs de la pluralité de nano-points semi-conducteurs sont dotés de secondes nano-ouvertures qui sont formées sur leurs surfaces, et sont connectés les uns avec les autres au moyen des secondes nano-ouvertures, leurs orientations cristallines étant alignées les unes avec les autres. Le matériau thermoélectrique selon la présente invention peut être produit au moyen : d'une étape au cours de laquelle un substrat semi-conducteur est oxydé, ce qui permet de former de la sorte un film d'oxyde semi-conducteur sur celui-ci ; une étape au cours de laquelle une première nano-ouverture est formée dans le film d'oxyde ; et une étape au cours de laquelle une pluralité de nano-points semi-conducteurs s'accumulent sur la première nano-ouverture par croissance épitaxiale. Un matériau thermoélectrique doté d'une excellente performance de conversion thermoélectrique peut être obtenu grâce à cette configuration.
(JA) 熱電材料は、半導体基板と、基板上に形成された半導体酸化膜と、酸化膜上に設けられた熱電層とを備えている。半導体酸化膜には第1ナノ開口部が形成され、熱電層は、複数の半導体ナノドットが粒子充填構造を有するように第1ナノ開口部上に積み上がった形をとり、複数の半導体ナノドットの少なくとも一部は、その表面に形成された第2ナノ開口部を有し、かつ、第2ナノ開口部を介して互いに結晶方位を揃えて連結している。この熱電材料は、半導体基板を酸化し、その上に半導体酸化膜を形成する工程と、酸化膜に第1ナノ開口部を形成する工程と、第1ナノ開口部上に複数の半導体ナノドットをエピタキシャル成長させて積み上げる工程を経て製造される。 このような構成により、熱電変換性能に優れた熱電材料が実現する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)