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1. (WO2013179569) PROCÉDÉ POUR NETTOYER UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/179569    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/002849
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 26.04.2013
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : KABASAWA, Hitoshi; (JP).
ABE, Tatsuo; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-126528 01.06.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ POUR NETTOYER UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ウェーハの洗浄方法
Abrégé : front page image
(EN)This method for cleaning a semiconductor wafer has: a first cleaning step (1) for performing SC1 cleaning with respect to the semiconductor wafer; a second cleaning step (2) for performing HF cleaning with respect to the semiconductor wafer after the first cleaning step (1); and a third cleaning step (3) for cleaning the semiconductor wafer using a hydrogen peroxide solution after the second cleaning step (2). Consequently, nonuniformity of the surface roughness (haze) of the semiconductor wafer due to cleaning is reduced, and the semiconductor wafer can be effectively cleaned.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour nettoyer une tranche de semi-conducteur. Ce procédé comprend les étapes suivantes : une première étape de nettoyage (1) pour réaliser un nettoyage SC1 par rapport à la tranche de semi-conducteur ; une seconde étape de nettoyage (2) pour réaliser un nettoyage HF par rapport à la tranche de semi-conducteur après la première étape de nettoyage (1) ; et une troisième étape de nettoyage (3) pour nettoyer la tranche de semi-conducteur en utilisant une solution de peroxyde d'hydrogène après la seconde étape de nettoyage (2). En conséquence, la non-uniformité de la rugosité de surface (brume) de la tranche de semi-conducteur due au nettoyage est réduite, et la tranche de semi-conducteur peut être nettoyée efficacement.
(JA)本発明は、半導体ウェーハの洗浄方法であって、前記半導体ウェーハをSC1洗浄する第一洗浄工程(1)と、前記第一洗浄工程(1)後に、前記半導体ウェーハをHF洗浄する第二洗浄工程(2)と、前記第二洗浄工程(2)後に、前記半導体ウェーハを過酸化水素水により洗浄する第三洗浄工程(3)と、を有する半導体ウェーハの洗浄方法である。これによって、洗浄による半導体ウェーハの表面粗さ(ヘイズ)のムラを低減し、効果的に半導体ウェーハの洗浄を行うことができる半導体ウェーハの洗浄方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)