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1. (WO2013179553) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'HYDROXYDE MÉTALLIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CIBLE DE PULVÉRISATION ITO
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/179553    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/002568
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 16.04.2013
CIB :
C25B 1/00 (2006.01), C25B 11/03 (2006.01), C25B 11/04 (2006.01)
Déposants : ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP)
Inventeurs : FUJIMARU, Atsushi; (JP).
MIMURA, Toshifumi; (JP).
KADOWAKI, Yutaka; (JP).
MUSHIAKE, Katsuhiko; (JP)
Mandataire : SEIGA PATENT AND TRADEMARK CORPORATION; 9th Fl., Saisho Bldg., 1-14, Nishi-Gotanda 8-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-125364 31.05.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCTION OF METAL HYDROXIDE AND METHOD FOR PRODUCTION OF ITO SPUTTERING TARGET
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'HYDROXYDE MÉTALLIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CIBLE DE PULVÉRISATION ITO
(JA) 金属水酸化物の製造方法及びITOスパッタリングターゲットの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a method for production of metal hydroxide highly suited to volume production, whereby it is possible to obtain a metal hydroxide having a uniform desired particle size, without the need for wastewater treatment of the electrolysis solution; and a method for production of ITO sputtering target. A gas diffusion electrode (20) constituted by stacking of a hydrophobic gas diffusion layer (20a) and a hydrophilic reaction layer (20b) is arranged within an electrolysis tank (1), partitioning the electrolysis tank interior. A deposition tank (11) facing the reaction layer of the partitioned electrolysis tank holds an electrolysis solution (S) inside, and indium (4) is immersed into the electrolysis solution. With the gas diffusion electrode as the cathode and the indium as the anode, voltage is applied across the two electrodes, and oxygen is supplied into an air tank (10) facing the gas diffusion layer of the partitioned electrolysis tank to carry out electrolysis, causing indium hydroxide to precipitate into the electrolysis solution.
(FR)L'invention fournit un procédé de fabrication d'hydroxyde métallique, et un procédé de fabrication de cible ITO. Le procédé de fabrication d'hydroxyde métallique présente un volume de production élevé permettant d'obtenir un hydroxyde métallique doté du diamètre de particules souhaité, sans nécessiter d'effectuer un traitement de déchets liquides d'un électrolyte. À l'intérieur d'une cuve d'électrolyte (1), est disposée une électrode de diffusion gazeuse (20) configurée par stratification d'une couche de diffusion gazeuse (20a) hydrophobe et d'une couche de réaction (20b) hydrophile, l'intérieur de la cuve d'électrolyte étant ainsi compartimenté. L'électrolyte (S) est admis à l'intérieur d'une cuve de précipitation (11) faisant face à la couche de réaction de la cuve d'électrolyte ainsi compartimentée, et un indium (4) est immergé dans l'électrolyte. Avec l'électrode de diffusion gazeuse en tant que cathode, et l'indium en tant qu'anode, une tension est appliquée entre deux électrodes, et simultanément l'intérieur d'une cuve d'air (10) faisant face à la couche de diffusion gazeuse de la cuve d'électrolyte ainsi compartimentée, est alimenté en oxygène pour effectuer une électrolyse, et un hydroxyde d'indium est déposé dans l'électrolyte.
(JA) 電解液の廃液処理を行う必要がなく、所望の粒径に揃った金属水酸化物を得ることが可能な量産性の高い金属水酸化物の製造方法及びITOターゲットの製造方法を提供する。 電解槽1内に、疎水性のガス拡散層20aと親水性の反応層20bとを積層して構成されるガス拡散電極20を設置してこの電解槽内を区画する。区画された電解槽の反応層に面する沈殿槽11内に電解液Sを収納し、電解液中にインジウム4を浸漬させる。ガス拡散電極を陰極、インジウムを陽極として両電極間に電圧を印加すると共に、区画された電解槽のガス拡散層に面する空気槽10内に酸素を供給して電解し、電解液中に水酸化インジウムを析出させる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)