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1. (WO2013179548) DISPOSITIF DE PULVÉRISATION À MAGNÉTRON, PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION À MAGNÉTRON ET SUPPORT DE STOCKAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/179548    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/002463
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 11.04.2013
CIB :
C23C 14/35 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : NAKAMURA, Kanto; (JP).
KITADA, Toru; (JP).
GOMI, Atsushi; (JP).
MIYASHITA, Tetsuya; (JP)
Mandataire : INOUE, Toshio; 601, Storktower Odori-Park 3, 2-15-1, Yayoicho, Naka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2310058 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-125494 31.05.2012 JP
Titre (EN) MAGNETRON SPUTTERING DEVICE, MAGNETRON SPUTTERING METHOD, AND STORAGE MEDIUM
(FR) DISPOSITIF DE PULVÉRISATION À MAGNÉTRON, PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION À MAGNÉTRON ET SUPPORT DE STOCKAGE
(JA) マグネトロンスパッタ装置、マグネトロンスパッタ方法及び記憶媒体
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a technique that allows a film to be highly uniformly formed within a substrate surface by means of magnetron sputtering. This magnetron sputtering device is equipped with: a target that is placed so as to face a substrate mounted on a mount part inside a vacuum container; and a magnet array that is provided behind the target and comprises an array of magnets. The device is configured with: a gas supply part for supplying a plasma-generating gas into the vacuum container; a rotating mechanism for rotating the mount part; a power supply part for applying a voltage to the target; a moving mechanism for moving the magnet array between a first region and a second region that is located closer to the outer edge side of the target than the first region; and a control unit that outputs a control signal such that the average moving speed of the magnet array differs between the first region and the second region.
(FR)La présente invention concerne une technique qui permet de former un film de façon hautement uniforme à l'intérieur d'une surface de substrat au moyen d'une pulvérisation à magnétron. Ce dispositif de pulvérisation à magnétron est équipé : d'une cible qui est placée de façon à faire face à un substrat monté sur une partie de monture à l'intérieur d'un contenant sous vide ; et d'un ensemble d'aimants qui est agencé derrière la cible et comprend un ensemble d'aimants. Le dispositif est configuré avec : une partie d'alimentation en gaz destinée à alimenter en gaz générateur de plasma le contenant sous vide ; un mécanisme de rotation destiné à mettre en rotation la partie de monture ; une partie d'alimentation en énergie destinée à appliquer une tension à la cible ; un mécanisme mobile destiné à déplacer l'ensemble d'aimants entre une première région et une seconde région qui est située plus près du côté de bord externe de la cible que la première région ; et une unité de commande qui produit en sortie un signal de commande de sorte que la vitesse de déplacement moyenne de l'ensemble d'aimants est différente entre la première région et la seconde région.
(JA) マグネトロンスパッタにより基板の面内に均一性高く成膜を行うことができる技術を提供すること。 真空容器内の載置部に載置された基板に向くように配置されたターゲットと、このターゲットの背面側に設けられ、マグネットを配列してなるマグネット配列体と、を備えたマグネトロンスパッタ装置において、前記真空容器内にプラズマ発生用のガスを供給するためのガス供給部と、前記載置部を回転させるための回転機構と、前記ターゲットに電圧を印加する電源部と、前記マグネット配列体を、第1の領域とこの第1の領域よりもターゲットの外縁部側に寄った第2の領域との間で移動させるための移動機構と、前記マグネット配列体の平均移動速度が前記第1の領域と第2の領域との間で異なるように制御信号を出力する制御部と、を備えるように装置を構成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)