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1. (WO2013179471) SONDE À SEMI-CONDUCTEURS DESTINÉE À TESTER UNE CELLULE QUANTIQUE, DISPOSITIF DE TEST ET PROCÉDÉ DE TEST
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/179471    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/064232
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 31.05.2012
CIB :
H01L 21/66 (2006.01), G01R 31/36 (2006.01), H01M 10/48 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS [JP/JP]; 6-8, Kichijoji-honcho 2-chome, Musashino-shi, Tokyo 1808508 (JP) (Tous Sauf US).
GUALA TECHNOLOGY CO., LTD [JP/JP]; Kobe International Business Center 502, 5-2, Minatojima-minamimachi 5-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6500047 (JP) (Tous Sauf US).
DEWA Harutada [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIWADA Kiyoyasu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAZAWA Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : DEWA Harutada; (JP).
HIWADA Kiyoyasu; (JP).
NAKAZAWA Akira; (JP)
Mandataire : MIZUNO Tsuneo; 19-8, Kuriharachuo 1-chome, Zama-shi, Kanagawa 2520014 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PROBE FOR TESTING QUANTUM CELL, TEST DEVICE, AND TEST METHOD
(FR) SONDE À SEMI-CONDUCTEURS DESTINÉE À TESTER UNE CELLULE QUANTIQUE, DISPOSITIF DE TEST ET PROCÉDÉ DE TEST
(JA) 量子電池の試験用半導体プローブ、試験装置及び試験方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a device and method for testing a quantum cell using a semiconductor probe in which electrical characteristics of the charging layer can be evaluated, partway through the process of producing a quantum cell, without causing damage. A probe charging layer (58) is formed, using the same material as that used in the quantum cell, on a semiconductor probe (50) configured by layering an electrode (54) and a metal oxide semiconductor (56) on a support body (52), and irradiated with UV. Forming the probe charging layer (58) on the semiconductor probe (50) using the same material as that used in the quantum cell makes it possible to perform evaluation without damaging the charging layer of the quantum cell. Provided is a test device and test method in which the charge/discharge characteristics of the charging layer (18) partway through the process of producing the quantum cell are measured by a voltmeter (64) and a constant current supply (62) or a discharge resistance (66), using the semiconductor probe (50) provided with the probe charging layer (58).
(FR)La présente invention concerne un dispositif et un procédé de test d'une cellule quantique à l'aide d'une sonde à semi-conducteurs, dans lesquels des caractéristiques électriques de la couche de charge peuvent être évaluées, en partie grâce au processus de production d'une cellule quantique, sans engendrer de dégâts. Une couche (58) de charge de sonde est formée à l'aide du même matériau que celui utilisé dans la cellule quantique, sur une sonde (50) à semi-conducteurs, conçue par stratification d'une électrode (54) et d'un semi-conducteur (56) d'oxyde de métal, sur un corps (52) de support et irradiée aux UV. La formation de la couche (58) de charge de sonde, sur la sonde (50) à semi-conducteurs, qui utilise le même matériau que celui utilisé dans la cellule quantique, permet de réaliser une évaluation, sans dégrader la couche de charge de la cellule quantique. L'invention concerne également un dispositif et un procédé de test, dans lesquels les caractéristiques de charge/décharge de la couche (18) de charge, en partie à travers le processus de production de la cellule quantique, sont mesurées par un voltmètre (64) et une alimentation (62) à courant constant ou une résistance (66) de décharge, à l'aide de la sonde (50) à semi-conducteurs, munie de la couche (58) de charge de sonde.
(JA) 量子電池の製作プロセス途中での充電層の電気的特性評価を、損傷することなく行う事ができる半導体プローブによる量子電池の試験装置及び試験方法を提供する。電極54と金属酸化物半導体56とを支持体52に積層して構成された半導体プローブ50に、さらに量子電池と同じ材料でプローブ充電層58を形成し、紫外線照射する。半導体プローブ50に、量子電池と同じ材料でプローブ充電層58を形成することで、量子電池の充電層を傷つけることが無く評価が可能である。このプローブ充電層58を備えた半導体プローブ50を使用して、電圧計64と、定電流源62又は放電抵抗66により、量子電池製作途中での充電層18の充放電特性を測定する試験装置及び試験方法を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)