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1. (WO2013179382) DISPOSITIF D'AMPLIFICATION DE SYSTÈME MULTIPLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/179382    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/063738
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 29.05.2012
CIB :
H03F 3/68 (2006.01), H03F 1/07 (2006.01)
Déposants : NEC Corporation [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (Tous Sauf US).
MURAO Yoji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MURAO Yoji; (JP)
Mandataire : TANAI Sumio; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PLURAL SYSTEM AMPLIFICATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'AMPLIFICATION DE SYSTÈME MULTIPLE
(JA) 複数系統増幅装置
Abrégé : front page image
(EN)This multi-system amplification device (100) comprises amplifiers (110, 120) of a plural system which are formed in parallel and each handle input and output of respective signals, and further comprises a plurality of semiconductor amplification elements (111, 112, 121, 122) in which each of the amplifiers (110, 120) of the plural system are operated in parallel and amplify the respective signals. The pair of semiconductor amplification elements (112, 121) which are adjacent to the pair of adjacent amplifiers (110, 120) are formed as a unit package (130).
(FR)L'invention concerne un dispositif d'amplification de système multiple (100) qui comprend des amplificateurs (110, 120) d'un système multiple qui sont formés en parallèle et qui gèrent chacun l'entrée et la sortie des signaux respectifs et qui comprend en outre une pluralité d'éléments d'amplification à semiconducteurs (111, 112, 121, 122), chacun des amplificateurs (110, 120) du système multiple fonctionnant en parallèle et amplifiant les signaux respectifs. La paire d'éléments d'amplification à semiconducteurs (112, 121) qui est adjacente à la paire d'amplificateurs adjacents (110, 120) est formée comme un boîtier unitaire (130).
(JA) 本発明の多系統増幅装置(100)は、並列に形成されていて各々が信号を個々に入力して出力する複数系統の増幅器(110,120)を有し、複数系統の増幅器(110,120)の各々が並列運転されて信号を各々増幅する複数の半導体増幅素子(111,112,121,122)を有する。一対の隣接する増幅器(110,120)の隣接する一対の半導体増幅素子(112,121)が単一のパッケージ(130)として形成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)