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1. (WO2013179333) ISOLATEUR HYPERFRÉQUENCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ISOLATEUR HYPERFRÉQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/179333    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/003512
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 29.05.2012
CIB :
H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
Déposants : FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP) (Tous Sauf US).
SIN, Johnny Kin On [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
PENG, Lulu [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WU, Rongxiang [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
SUMIDA, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOYODA, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AKAHANE, Masashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SIN, Johnny Kin On; (CN).
PENG, Lulu; (CN).
WU, Rongxiang; (CN).
SUMIDA, Hitoshi; (JP).
TOYODA, Yoshiaki; (JP).
AKAHANE, Masashi; (JP)
Mandataire : SAKAI, Akinori; A. SAKAI & ASSOCIATES, 20F, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ISOLATOR AND ISOLATOR MANUFACTURING METHOD
(FR) ISOLATEUR HYPERFRÉQUENCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ISOLATEUR HYPERFRÉQUENCE
Abrégé : front page image
(EN)An isolator (10) is configured by a reception circuit, a transmission circuit (12), and a transformer (13). The transmission circuit (12) is disposed in an anterior surface of a semiconductor substrate (20). The transformer (13) is disposed in a posterior surface of the semiconductor substrate (20) and transmits in an electrically isolated state to the reception circuit, a signal input from the transmission circuit (12). The transformer (13) is configured by a primary coil (31-1) and a secondary coil (32-1). The primary coil (31-1) is configured by a metal film embedded in an oxide film (21-3) inside a coil trench (31-2). The secondary coil (32-1) is disposed inside an insulating film (22) covering the primary coil (31-1) so as to oppose the primary coil (31-1) and is insulated from the primary coil (31-1) by the insulating film (22). According to the isolator (10) configured as such, size reductions can be facilitated and electrical characteristics improved, enabling high voltage tolerance to be realized.
(FR)La présente invention a trait à un isolateur hyperfréquence (10) qui est constitué d'un circuit de réception, d'un circuit de transmission (12) et d'un transformateur (13). Le circuit de transmission (12) est disposé dans une surface antérieure d'un substrat semi-conducteur (20). Le transformateur (13) est disposé dans une surface postérieure du substrat semi-conducteur (20) et transmet dans un état électriquement isolé au circuit de réception une entrée de signal en provenant du circuit de transmission (12). Le transformateur (13) est constitué d'une bobine primaire (31-1) et d'une bobine secondaire (32-1). La bobine primaire (31-1) est constituée d'un film métallique qui est logé dans un film d'oxyde (21-3) à l'intérieur d'une tranchée de bobine (31-2). La bobine secondaire (32-1) est disposée à l'intérieur d'un film isolant (22) qui recouvre la bobine primaire (31-1) de sorte à opposer la bobine primaire (31-1) et est isolée de la bobine primaire (31-1) par le film isolant (22). Conformément à l'isolateur hyperfréquence (10) ainsi configuré, il est possible de faciliter les réductions de taille et d'améliorer les caractéristiques électriques, ce qui permet d'obtenir une tolérance à la tension élevée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)