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1. (WO2013179282) STRUCTURE CONDUCTRICE D'ÉLECTRICITÉ DE CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/179282    N° de la demande internationale :    PCT/IL2013/050453
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 28.05.2013
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01)
Déposants : XJET LTD. [IL/IL]; 10 Openheimer Street 7670110 Rehovot (IL)
Inventeurs : KRITCHMAN, Eliahu M.; (IL).
BAHARAV, Ofir; (CN).
DOVRAT, Michael; (IL).
LAVID, Lior; (IL).
GOTHAIT, Hanan; (IL)
Mandataire : PEARL COHEN ZEDEK LATZER; P.O. Box 12704 46733 Herzlia (IL)
Données relatives à la priorité :
61/652,270 28.05.2012 US
61/675,385 25.07.2012 US
Titre (EN) SOLAR CELL ELECTRICALLY CONDUCTIVE STRUCTURE AND METHOD
(FR) STRUCTURE CONDUCTRICE D'ÉLECTRICITÉ DE CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ
Abrégé : front page image
(EN)Some aspects of the invention are related to a solar cell, for producing electricity from solar radiation. The solar cell may include a substrate, for example, polycrystalline silicon and an electrically conductive structure disposed on the substrate. The electrically conductive structure may include a bus bar and one or more finger electrodes positioned such that at least a portion of a finger electrode overlaps the bus bar.
(FR)Selon certains modes de réalisation, la présente invention concerne une cellule solaire, pour la production d'électricité à partir du rayonnement solaire. La cellule solaire peut comporter un substrat, par exemple, du silicium polycristallin et une structure conductrice d'électricité disposée sur le substrat. La structure conductrice d'électricité peut comporter une barre omnibus et une ou des électrodes en forme de doigts positionnées de sorte qu'au moins une partie d'une électrode à doigt chevauche la barre omnibus.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)