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1. (WO2013178761) PROCÉDÉ ET SYSTÈME D'OBTENTION D'UNE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/178761    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/061202
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 30.05.2013
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" F-75015 Paris (FR)
Inventeurs : MORICEAU, Hubert; (FR).
GARANDET, Jean-Paul; (FR).
PENOT, Jean-Daniel; (FR)
Mandataire : HAUTIER, Nicolas; Cabinet Hautier 20 Rue De La Liberte F-06000 Nice (FR)
Données relatives à la priorité :
1255016 31.05.2012 FR
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM FOR OBTAINING A SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME D'OBTENTION D'UNE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention concerns, in particular, a method for obtaining a self-supporting semiconductor wafer (500) from a donor substrate (100) made from a first semiconductor material and comprising, in the thickness of same, a break-off zone (210), the method being characterised in that it comprises: - depositing an intermediate layer (300) of a second semiconductor material on a face (101) of the donor substrate (100); - applying a third semiconductor material (400) by melting on the intermediate layer (300) to form an additional layer; - separating (510) the donor substrate (100) at the break-off zone (210) to form a self-supporting wafer (500) comprising a portion (110) of the donor substrate (100), the intermediate layer (300) and the additional layer.
(FR)La présente invention a notamment pour objet un procédé d'obtention d'une tranche semi-conductrice autoporteuse (500) à partir d'un substrat donneur (100) fait d'un premier matériau semi-conducteur et comprenant dans son épaisseur une zone de fragilisation (210), le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend : - le dépôt d'une couche intermédiaire (300) d'un deuxième matériau semi-conducteur sur une face (101 ) du substrat donneur (100); - l'apport d'un troisième matériau semi-conducteur (400) en fusion sur la couche intermédiaire (300) pour former une couche additionnelle; - la séparation (51 0) du substrat donneur (100) au niveau de la zone de fragilisation (210) pour former une tranche autoporteuse (500) comprenant une portion (110) du substrat donneur (100), la couche intermédiaire (300) et la couche additionnelle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)