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1. (WO2013178035) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE SÉLÉNIURE CUIVREUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/178035    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/076187
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 24.05.2013
CIB :
C01B 19/04 (2006.01), C01G 3/00 (2006.01)
Déposants : FIRST RARE MATERIALS CO., LTD [CN/CN]; Yin Xia Room 2901, Exchange Square, No. 268 Dongfengzhong Road, Yuexiu District Guangzhou City, Guangdong 510030 (CN)
Inventeurs : HU, Zhixiang; (CN).
LU, Jinsheng; (CN).
WEN, Chongbin; (CN)
Données relatives à la priorité :
201210170464.8 28.05.2012 CN
Titre (EN) CUPROUS SELENIDE PREPARATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE SÉLÉNIURE CUIVREUX
(ZH) 硒化亚铜的制备方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a cuprous selenide preparation method, comprising: weighing elemental substances copper and selenium by a specified molar ratio with excessive selenium; placing the elemental substances copper and selenium in two reactors respectively, and then placing the two reactors at the head and tail ends of a quartz tube; evacuating and sealing the quartz tube; horizontally placing the quartz tube in a horizontal synthesis furnace having a high temperature treatment area and a low temperature treatment area, the reactor filled with the elemental substance copper being in the high temperature treatment area, and the reactor filled with the elemental substance selenium being in the low temperature treatment area; heating up the horizontal synthesis furnace, maintaining the temperature, melting the elemental substance copper and the generated cuprous selenide crystals in the high temperature treatment area, and evaporating the elemental substance selenium in the low temperature treatment area; then stopping maintaining the temperature of the horizontal synthesis furnace and the temperature starts to decrease, first the high temperature treatment area cooling to a specified temperature, and then the high temperature treatment area and the low temperature treatment area naturally cooling to room temperature together with the horizontal synthesis furnace. The present invention has low cost, good product quality, no toxicity, and no contaminants, and has low requirements for devices.
(FR)L'invention porte sur un procédé de préparation de séléniure cuivreux, comprenant : le pesage de substances élémentaires cuivre et sélénium en un rapport molaire spécifié avec du sélénium en excès; l'introduction des substances élémentaires cuivre et sélénium dans deux réacteurs respectivement et ensuite le placement de deux réacteurs aux extrémités de tête et de queue d'un tube de quartz; la mise sous vide et la fermeture étanche du tube de quartz; le placement horizontale du tube de quartz dans un four de synthèse horizontal ayant une zone de traitement à haute température et une zone de traitement à basse température, le réacteur rempli de la substance élémentaire cuivre étant dans la zone de traitement à haute température et le réacteur rempli de la substance élémentaire sélénium étant dans la zone de traitement à basse température; le chauffage du four de synthèse horizontal, le maintien de la température, la fusion de la substance élémentaire cuivre et des cristaux de séléniure cuivreux produits dans la zone de traitement à haute température et l'évaporation de la substance élémentaire sélénium dans la zone de traitement à basse température; puis l'arrêt du maintien de la température du four de synthèse horizontal, ce qui amène la température à commencer à diminuer, d'abord la zone de traitement à haute température refroidissant à une température spécifiée et ensuite la zone de traitement à haute température et la zone de traitement à basse température refroidissant naturellement à température ambiante conjointement avec le four de synthèse horizontal. La présente invention présente un faible coût, une bonne qualité de produit, pas de toxicité et pas de contaminants et de faibles exigences en matériel.
(ZH)本发明提供一种硒化亚铜制备的方法,包括:将单质铜、硒按规定的且硒过量的摩尔比称重;将单质铜、硒分别放入两个反应舟内、再分别放入到石英管的头尾两端;对石英管进行抽真空并封管;将石英管水平置于具有高温处理区和低温处理区的水平合成炉中,其中使装有铜单质的反应舟处于高温处理区且使装有硒单质的反应舟处于低温处理区;使水平合成炉加热保温,高温处理区使铜单质及生成的硒化亚铜晶体熔融,低温处理区使硒单质蒸发;然后使停止水平合成炉停止保温并开始降温,其中高温处理区先降温至规定温度,然后高温处理区和低温处理区一起随水平合成炉自然降温至室温。本发明对设备要求低、成本低、产品质量好、无毒害、无污染物。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)