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1. (WO2013177855) STRUCTURE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/177855    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/078789
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 18.07.2012
CIB :
H01L 29/04 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01)
Déposants : TSINGHUA UNIVERSITY [CN/CN]; Qinghuayuan, Haidian District Beijing 100084 (CN) (Tous Sauf US).
WANG, Wei [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WANG, Jing [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
GUO, Lei [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : WANG, Wei; (CN).
WANG, Jing; (CN).
GUO, Lei; (CN)
Mandataire : TSINGYIHUA INTELLECTUAL PROPERTY LLC; Room 301 Trade Building, Zhaolanyuan Tsinghua University, Qinghuayuan Haidian District Beijing 100084 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210175345.1 30.05.2012 CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
(FR) STRUCTURE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor structure and a method for forming the same are provided. The semiconductor structure comprises: a semiconductor substrate (100); a rare earth oxide layer (200) formed on the semiconductor substrate (100); a channel region (300) formed on the rare earth oxide layer (200); and a source region (400) and a drain region (500) formed at both sides of the channel region (300) respectively, in which a relationship between a lattice constant a of the rare earth oxide layer (200) and a lattice constant b of a semiconductor material of the channel region (300) and/or the source region (400) and the drain region (500) is a = (n ± c)b, where n is an integer, c is a mismatch ratio of lattice constants, and 0
(FR)L'invention concerne une structure à semi-conducteur et son procédé de formation. La structure à semi-conducteur comprend : un substrat à semi-conducteur (100) ; une couche d'oxyde de terres rares (200) formée sur le substrat à semi-conducteur (100) ; une zone de canal (300) formée sur la couche d'oxyde de terres rares (200) ; et une zone de source (400) et une zone de drain (500) formées de part et d'autre de la zone de canal (300) respectivement, une relation entre la constante du réseau cristallin a de la couche d'oxyde de terres rares (200) et une constante du réseau cristallin b d'un matériau à semi-conducteur de la zone de canal (300) et/ou la zone de source (400) et la zone de drain (500) étant a = (n ± c)b, n étant un entier, c étant un rapport d'inégalité des constantes du réseau cristallin, et 0 < c ≤ 15 %.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)