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1. (WO2013177725) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/177725    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/000914
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 03.07.2012
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 3 Beitucheng West Road Chaoyang District Beijing 100029 (CN) (Tous Sauf US).
YIN, Huaxiang [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
QIN, Changliang [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
MA, Xiaolong [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
XU, Qiuxia [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
CHEN, Dapeng [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : YIN, Huaxiang; (CN).
QIN, Changliang; (CN).
MA, Xiaolong; (CN).
XU, Qiuxia; (CN).
CHEN, Dapeng; (CN)
Mandataire : CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 22/F, Great Eagle Centre 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong (CN)
Données relatives à la priorité :
201210170314.7 28.05.2012 CN
Titre (EN) SEMI-CONDUCTOR DEVICE AND PRODUCING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(ZH) 半导体器件及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semi-conductor device and a producing method thereof are provided. The semi-conductor device comprises a substrate (10), a gate stack structure (20) on the substrate, a channel region (14) in the substrate below the gate stack structure, and a source and drain region (42) at two sides of the channel region. Stress layers (40) exist blow and at two sides of the channel region, and the source and drain regions form in the stress layers. The stress layers are formed at two sides of and below the channel region of silicon-based material, so as to act on the channel region, thereby effectively improving carrier mobility of the channel region, and improving performance of the device.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur et son procédé de production. Le dispositif à semi-conducteur comprend un substrat (10), une structure d'empilement de grille (20) sur le substrat, une zone de canal (14) dans le substrat au-dessous de la structure d'empilement de grille, et une zone de source et de drain (42) au niveau des deux côtés de la zone de canal. Des couches de contrainte (40) existent au-dessous et au niveau des deux côtés de la zone de canal, et les zones de source et de drain sont formées dans les couches de contrainte. Les couches de contrainte sont formées au niveau des deux côtés et au-dessous de la zone de canal faite d'un matériau à base de silicium, de manière à agir sur la zone de canal, ce qui permet d'améliorer efficacement la mobilité de porteur de charge de la zone de canal, et d'améliorer la performance du dispositif.
(ZH)提供一种半导体器件及其制造方法,半导体器件包括衬底(10)、衬底上的栅极堆叠结构(20)、栅极堆叠结构下方的衬底中的沟道区(14)、以及沟道区两侧的源漏区(42),特征在于:沟道区下方以及两侧具有应力层(40),源漏区形成在应力层中。通过在硅基材料的沟道区两侧以及下方形成应力层而作用于沟道区,有效提升了沟道区载流子迁移率,提高了器件性能。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)