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1. WO2013175636 - DISPOSITIF DE MESURE DE QUANTITÉ MÉCANIQUE

Numéro de publication WO/2013/175636
Date de publication 28.11.2013
N° de la demande internationale PCT/JP2012/063540
Date du dépôt international 25.05.2012
CIB
G01L 1/18 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
LMESURE DES FORCES, DES CONTRAINTES, DES COUPLES, DU TRAVAIL, DE LA PUISSANCE MÉCANIQUE, DU RENDEMENT MÉCANIQUE OU DE LA PRESSION DES FLUIDES
1Mesure des forces ou des contraintes, en général
18en utilisant des propriétés des matériaux piézo-résistants, c. à d. des matériaux dont la résistance ohmique varie suivant les modifications de la grandeur ou de la direction de la force appliquée au matériau
G01L 1/22 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
LMESURE DES FORCES, DES CONTRAINTES, DES COUPLES, DU TRAVAIL, DE LA PUISSANCE MÉCANIQUE, DU RENDEMENT MÉCANIQUE OU DE LA PRESSION DES FLUIDES
1Mesure des forces ou des contraintes, en général
20en mesurant les variations de la résistance ohmique des matériaux solides ou des fluides conducteurs de l'électricité; en faisant usage des cellules électrocinétiques, c. à d. des cellules contenant un liquide, dans lesquelles un potentiel électrique est produit ou modifié par l'application d'une contrainte
22en utilisant des jauges de contrainte à résistance
CPC
G01L 1/18
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
1Measuring force or stress, in general
18using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
G01L 1/2243
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
1Measuring force or stress, in general
20by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids
22using resistance strain gauges
2206Special supports with preselected places to mount the resistance strain gauges; Mounting of supports
2243the supports being parallelogram-shaped
G01L 1/2293
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
1Measuring force or stress, in general
20by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids
22using resistance strain gauges
2287constructional details of the strain gauges
2293of the semi-conductor type
Déposants
  • 株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 芦田 喜章 ASHIDA, Kisho [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 太田 裕之 OHTA, Hiroyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 島津 ひろみ SHIMADU, Hiromi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 笠井 憲一 KASAI, Kenichi [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 芦田 喜章 ASHIDA, Kisho
  • 太田 裕之 OHTA, Hiroyuki
  • 島津 ひろみ SHIMADU, Hiromi
  • 笠井 憲一 KASAI, Kenichi
Mandataires
  • 筒井 大和 TSUTSUI, Yamato
Données relatives à la priorité
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MECHANICAL-QUANTITY MEASURING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MESURE DE QUANTITÉ MÉCANIQUE
(JA) 力学量測定装置
Abrégé
(EN) The present invention has a load cell configured from a member (2) and a sensor chip (1) on which a plurality of resistance elements, square-shaped in plan view, are formed on a surface side of a semiconductor substrate comprising a silicon monocrystal. The member (2) includes a load part (3), a fixed pedestal part (4), and a strain part (5) disposed between the load part (3) and the fixed pedestal part (4) at a distance from the load part (3) and from the fixed pedestal part (4). The sensor chip (1) is affixed to a front surface (2a) of the strain part (5) of the member (2) so that the <100> direction of the silicon monocrystal of the semiconductor substrate is parallel to the loading direction, and the longitudinal direction of the plurality of resistance elements is at a 45-degree angle to the loading direction.
(FR) La présente invention concerne une cellule de charge, conçue à partir d'un élément (2) et d'une puce (1) de capteur, sur laquelle une pluralité d'éléments de résistance, de forme carrée en vue en plan, sont formés sur un côté de surface d'un substrat à semi-conducteurs qui comprend un monocristal de silicium. L'élément (2) comprend une partie (3) charge, une partie (4) socle fixe et une partie (5) contrainte, disposée entre la partie (3) charge et la partie (4) socle fixe, à distance de la partie (3) charge et de la partie (4) socle fixe. La puce (1) de capteur est apposée sur une surface (2a) avant de la partie (5) contrainte de l'élément (2), de sorte que la direction <100> du monocristal de silicium du substrat à semi-conducteurs est parallèle à la direction de charge et que la direction longitudinale de la pluralité d'éléments de résistance se trouve à un angle de 45 degrés par rapport à la direction de charge.
(JA)  シリコン単結晶からなる半導体基板の表面側に、平面視において四角形状の複数の抵抗素子が形成されたセンサチップ(1)、および部材(2)から構成されるロードセルを有する。部材(2)は、負荷部(3)と、固定台座部(4)と、負荷部(3)および固定台座部(4)とそれぞれ離間して負荷部(3)と固定台座部(4)との間に配置された起歪部(5)と、を含む。そして、半導体基板のシリコン単結晶の<100>方向が荷重方向と平行となるように、センサチップ(1)が部材(2)の起歪部(5)の前側面(2a)に貼り付けられ、また、複数の抵抗素子の長手方向は、荷重方向に対して45度の角度を有する。
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