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1. WO2013175557 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2013/175557
Date de publication 28.11.2013
N° de la demande internationale PCT/JP2012/062965
Date du dépôt international 21.05.2012
CIB
H01L 21/336 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 21/8238 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8238Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
H01L 21/8244 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
8244Structures de mémoires statiques à accès aléatoire (SRAM)
H01L 27/092 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
08comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085comprenant uniquement des composants à effet de champ
088les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
092Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
H01L 27/11 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
11Structures de mémoires statiques à accès aléatoire
H01L 29/78 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
CPC
H01L 21/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
H01L 21/823828
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
8238Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
823828with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes
H01L 21/823885
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
8238Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
823885with a particular manufacturing method of vertical transistor structures, i.e. with channel vertical to the substrate surface
H01L 27/0207
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
0203Particular design considerations for integrated circuits
0207Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
H01L 27/092
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
085including field-effect components only
088the components being field-effect transistors with insulated gate
092complementary MIS field-effect transistors
H01L 27/1104
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
11Static random access memory structures
1104the load element being a MOSFET transistor
Déposants
  • ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. [SG]/[SG] (AllExceptUS)
  • 舛岡 富士雄 MASUOKA Fujio [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 原田 望 HARADA Nozomu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 中村 広記 NAKAMURA Hiroki [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 舛岡 富士雄 MASUOKA Fujio
  • 原田 望 HARADA Nozomu
  • 中村 広記 NAKAMURA Hiroki
Mandataires
  • 木村 満 KIMURA Mitsuru
Données relatives à la priorité
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé
(EN) This semiconductor device comprises: a first planar silicon layer (309); first and second columnar silicon layers (504, 505) formed on the first planar silicon layer (309); a first gate insulating film (506) formed around the first columnar silicon layer; a first gate electrode (303) formed around the first gate insulating film (506); a second gate insulating film (506) formed around the second columnar silicon layer; a second gate electrode (304) formed around the second gate; a first gate wiring (305) connected to the first and second gate electrodes; a first n-type diffusion layer (524) formed at the top of the first columnar silicon layer (504); a second n-type diffusion layer (502) formed at the bottom of the first columnar silicon layer (504) and the top of the planar silicon layer (309); a first p-type diffusion layer (525) formed at the top of the second n-type diffusion layer (502); and a second p-type diffusion layer (503) formed at the bottom of the second columnar silicon layer and the top of the planar silicon layer. A center line that extends along the first gate wiring is offset by a first prescribed amount from a line joining the center of the first columnar silicon layer and the center of the second columnar silicon layer.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant les éléments suivants : une première couche de silicium plane (309); des première et seconde couches de silicium colonnaires (504, 505) formées sur la première couche de silicium plane (309); un premier film isolant de grille (506) formé autour de la première couche de silicium colonnaire; une première électrode de grille (303) formée autour du premier film isolant de grille (506); un second film isolant de grille (506) formé autour de la seconde couche de silicium colonnaire; une seconde électrode de grille (304) formée autour de la seconde grille; un premier câblage de grille (305) connecté aux première et seconde électrodes de grille; une première couche de diffusion de type n (524) formée en haut de la première couche de silicium colonnaire (504); une seconde couche de diffusion de type n (502) formée en bas de la première couche de silicium colonnaire (504) et en haut de la couche de silicium plane (309); une première couche de diffusion de type p (525) formée en haut de la seconde couche de diffusion de type n (502); et une seconde couche de diffusion de type p (503) formée en bas de la seconde couche de silicium colonnaire et en haut de la couche de silicium plane. Un axe central qui s'étend le long du premier câblage de grille est décalé d'une première quantité indiquée par rapport à une ligne qui joint le centre de la première couche de silicium colonnaire et le centre de la seconde couche de silicium colonnaire.
(JA)  半導体装置は、第1の平面状シリコン層(309)と、その層(309)上に形成された第1及び第2の柱状シリコン層(504,505)と、第1の柱状シリコン層の周囲に形成された第1のゲート絶縁膜(506)と、その膜(506)の周囲に形成された第1のゲート電極(303)と、第2の柱状シリコン層の周囲に形成された第2のゲート絶縁膜(506)と、第2のゲート絶縁膜の周囲に形成された第2のゲート電極(304)と、第1及び第2のゲート電極に接続された第1のゲート配線(305)と、第1の柱状シリコン層(504)の上部に形成された第1のn型拡散層(524)と、第1の柱状シリコン層(504)の下部と平面状シリコン層(309)の上部とに形成された第2のn型拡散層(502)と、その層(502)の上部に形成された第1のp型拡散層(525)と、第2の柱状シリコン層の下部と平面状シリコン層の上部とに形成された第2のp型拡散層(503)と、を有する。第1のゲート配線に沿って延びる中心線が、第1の柱状シリコン層の中心と第2の柱状シリコン層の中心とを結ぶ線に対して第1の所定量オフセットしている。
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