(EN) This semiconductor device comprises: a first planar silicon layer (309); first and second columnar silicon layers (504, 505) formed on the first planar silicon layer (309); a first gate insulating film (506) formed around the first columnar silicon layer; a first gate electrode (303) formed around the first gate insulating film (506); a second gate insulating film (506) formed around the second columnar silicon layer; a second gate electrode (304) formed around the second gate; a first gate wiring (305) connected to the first and second gate electrodes; a first n-type diffusion layer (524) formed at the top of the first columnar silicon layer (504); a second n-type diffusion layer (502) formed at the bottom of the first columnar silicon layer (504) and the top of the planar silicon layer (309); a first p-type diffusion layer (525) formed at the top of the second n-type diffusion layer (502); and a second p-type diffusion layer (503) formed at the bottom of the second columnar silicon layer and the top of the planar silicon layer. A center line that extends along the first gate wiring is offset by a first prescribed amount from a line joining the center of the first columnar silicon layer and the center of the second columnar silicon layer.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant les éléments suivants : une première couche de silicium plane (309); des première et seconde couches de silicium colonnaires (504, 505) formées sur la première couche de silicium plane (309); un premier film isolant de grille (506) formé autour de la première couche de silicium colonnaire; une première électrode de grille (303) formée autour du premier film isolant de grille (506); un second film isolant de grille (506) formé autour de la seconde couche de silicium colonnaire; une seconde électrode de grille (304) formée autour de la seconde grille; un premier câblage de grille (305) connecté aux première et seconde électrodes de grille; une première couche de diffusion de type n (524) formée en haut de la première couche de silicium colonnaire (504); une seconde couche de diffusion de type n (502) formée en bas de la première couche de silicium colonnaire (504) et en haut de la couche de silicium plane (309); une première couche de diffusion de type p (525) formée en haut de la seconde couche de diffusion de type n (502); et une seconde couche de diffusion de type p (503) formée en bas de la seconde couche de silicium colonnaire et en haut de la couche de silicium plane. Un axe central qui s'étend le long du premier câblage de grille est décalé d'une première quantité indiquée par rapport à une ligne qui joint le centre de la première couche de silicium colonnaire et le centre de la seconde couche de silicium colonnaire.
(JA) 半導体装置は、第1の平面状シリコン層(309)と、その層(309)上に形成された第1及び第2の柱状シリコン層(504,505)と、第1の柱状シリコン層の周囲に形成された第1のゲート絶縁膜(506)と、その膜(506)の周囲に形成された第1のゲート電極(303)と、第2の柱状シリコン層の周囲に形成された第2のゲート絶縁膜(506)と、第2のゲート絶縁膜の周囲に形成された第2のゲート電極(304)と、第1及び第2のゲート電極に接続された第1のゲート配線(305)と、第1の柱状シリコン層(504)の上部に形成された第1のn型拡散層(524)と、第1の柱状シリコン層(504)の下部と平面状シリコン層(309)の上部とに形成された第2のn型拡散層(502)と、その層(502)の上部に形成された第1のp型拡散層(525)と、第2の柱状シリコン層の下部と平面状シリコン層の上部とに形成された第2のp型拡散層(503)と、を有する。第1のゲート配線に沿って延びる中心線が、第1の柱状シリコン層の中心と第2の柱状シリコン層の中心とを結ぶ線に対して第1の所定量オフセットしている。