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1. WO2013138276 - PROCÉDÉS D'ÉLIMINATION SÉLECTIVE DE VERRE OXYDÉ DÉPOSÉ PAR CENTRIFUGATION

Numéro de publication WO/2013/138276
Date de publication 19.09.2013
N° de la demande internationale PCT/US2013/030370
Date du dépôt international 12.03.2013
CIB
H01L 21/306 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H01L 21/311 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105Post-traitement
311Gravure des couches isolantes
CPC
C09K 13/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
13Etching, surface-brightening or pickling compositions
04containing an inorganic acid
06with organic material
C09K 13/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
13Etching, surface-brightening or pickling compositions
04containing an inorganic acid
08containing a fluorine compound
C11D 11/0047
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
11Special methods for preparing compositions containing mixtures of detergents
0005Special cleaning and washing methods
0011characterised by the objects to be cleaned
0023"Hard" surfaces
0047Electronic devices, e.g. PCBs, semiconductors
C11D 3/0073
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
3Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
0005Other compounding ingredients characterised by their effect
0073Anticorrosion compositions
C11D 3/046
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
3Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
02Inorganic compounds ; ; Elemental compounds
04Water-soluble compounds
046Salts
C11D 3/43
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
3Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
43Solvents
Déposants
  • ENTEGRIS, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • WU, Hsing-chen
  • TU, Sheng-hung
Mandataires
  • FUIERER, Tristan
Données relatives à la priorité
61/609,65812.03.2012US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHODS FOR THE SELECTIVE REMOVAL OF ASHED SPIN-ON GLASS
(FR) PROCÉDÉS D'ÉLIMINATION SÉLECTIVE DE VERRE OXYDÉ DÉPOSÉ PAR CENTRIFUGATION
Abrégé
(EN)
A semi-aqueous removal composition and process for selectively removing spin-on glass relative to a metal gate and/or ILD material from a microelectronic device having said material thereon. The semi- aqueous removal composition can be a fluoride -containing composition or an alkaline composition.
(FR)
Cette invention concerne une composition semi-aqueuse et un procédé d'élimination sélective de verre déposé par centrifugation sur une grille métallique et/ou un matériau diélectrique intercalaire (ILD) d'un dispositif microélectronique comprenant ledit matériau. Ladite composition semi-aqueuse d'élimination peut être une composition à base de fluorure ou une composition alcaline.
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