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1. WO2013134757 - DISPOSITIF MEMRISTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2013/134757
Date de publication 12.09.2013
N° de la demande internationale PCT/US2013/030124
Date du dépôt international 11.03.2013
CIB
H01L 47/00 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
47Dispositifs à résistance négative à effet de volume, p.ex. dispositifs à effet Gunn; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 27/2463
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
24including solid state components for rectifying, amplifying or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, ; e.g. resistance switching non-volatile memory structures
2463Arrangements comprising multiple bistable or multistable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays, details of the horizontal layout
H01L 45/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
H01L 45/1226
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12Details
122Device geometry
1226adapted for essentially horizontal current flow, e.g. bridge type devices
H01L 45/1233
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12Details
122Device geometry
1233adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
H01L 45/1253
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12Details
1253Electrodes
H01L 45/145
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
14Selection of switching materials
145Oxides or nitrides
Déposants
  • PRIVATRAN, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • FOWLER, Burt
Mandataires
  • CHIEU, Polin
Données relatives à la priorité
61/609,05809.03.2012US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MEMRISTIVE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE
(FR) DISPOSITIF MEMRISTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé
(EN) A device with programmable resistance comprising memristive material between conductive electrodes on a substrate or in a film stack on a substrate is provided. During fabrication of a memristive device, a memristive layer may be hydrated after deposition of the memristive layer. The hydration of the memristive layer may be performed utilizing thermal annealing in a reducing ambient, implant or plasma treatment in a reducing ambient, or a deionized water rinse. Additionally, plasma-assisted etching of an electrode may be performed with hydration or in place of hydration to electroform devices in a batch, in situ process. The memristive device may be electroformed at low voltage and passivated to allow for device operation in air. Further, the memristive device is suitable for high throughput manufacturing.
(FR) Un dispositif à résistance programmable, comprenant un matériau memristif entre des électrodes conductrices sur un substrat ou dans un empilement de films sur un substrat, est fourni. Pendant la fabrication du dispositif memristif, une couche memristive peut être hydratée après dépôt de la couche memristive. L'hydratation de la couche memristive peut être exécutée à l'aide d'un recuit thermique dans un milieu ambiant réduit, un implant ou un traitement au plasma dans un milieu ambiant réduit, ou un rinçage à l'eau déionisée. De plus, une gravure assistée par plasma d'une électrode peut être effectuée avec une hydratation ou dans un lieu d'hydratation pour électroformer des dispositifs selon un procédé par lot, in situ. Le dispositif memristif peut être électroformé à basse tension et passivé pour permettre l'exploitation du dispositif dans l'air. En outre, le dispositif memristif convient à une fabrication à haut rendement.
Documents de brevet associés
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