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1. WO2013130230 - SAUVEGARDAGE DE DONNÉES EN CAS DE COURT-CIRCUIT DE LIGNE DE MOT À LIGNE DE MOT DANS DES RÉSEAUX DE MÉMOIRE

Numéro de publication WO/2013/130230
Date de publication 06.09.2013
N° de la demande internationale PCT/US2013/024977
Date du dépôt international 06.02.2013
CIB
G11C 11/56 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
56utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence
G11C 16/10 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
10Circuits de programmation ou d'entrée de données
G11C 29/02 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
29Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
02Détection ou localisation de circuits auxiliaires défectueux, p.ex. compteurs de rafraîchissement défectueux
CPC
G11C 11/5628
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
5621using charge storage in a floating gate
5628Programming or writing circuits; Data input circuits
G11C 11/5685
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
5685using storage elements comprising metal oxide memory material, e.g. perovskites
G11C 16/10
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
10Programming or data input circuits
G11C 2029/1202
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation ; ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
04Detection or location of defective memory elements ; , e.g. cell constructio details, timing of test signals
08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] ; or interconnection details
1202Word line control
G11C 29/025
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation ; ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
025in signal lines
Déposants
  • SANDISK TECHNOLOGIES INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • KOH, Pao-Ling
  • KUO, Tien-Chien
Mandataires
  • CLEVELAND, Michael, G.
Données relatives à la priorité
13/411,11502.03.2012US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SAVING OF DATA IN CASES OF WORD-LINE TO WORD-LINE SHORT IN MEMORY ARRAYS
(FR) SAUVEGARDAGE DE DONNÉES EN CAS DE COURT-CIRCUIT DE LIGNE DE MOT À LIGNE DE MOT DANS DES RÉSEAUX DE MÉMOIRE
Abrégé
(EN) Techniques of operating a non-volatile memory are presented so that data that would otherwise be lost in the case of a word line to word line short are preserved. Before writing a word line, the data from a previously written adjacent word line are read back and stored in data latches that are associated with the corresponding bit lines but not being used for the data to be written. If a short occurs, as the data for both word lines are still in the latches, they can be written to a new location. This technique can also be incorporated into cache write operations and for a binary write operation performed while a multi-state write operation is suspended.
(FR) L'invention concerne des techniques de mise en œuvre d'une mémoire non volatile telles que des données qui seraient autrement perdues dans le cas d'un court-circuit de ligne de mot à ligne de mot sont préservées. Avant l'écriture d'une ligne de mot, les données d'une ligne de mot adjacente écrite précédemment sont relues et mémorisées dans des bascules de données qui sont associées aux lignes de bits correspondantes mais qui ne sont pas utilisées pour les données à écrire. Si un court-circuit se produit, alors que les données pour les deux lignes de mots sont encore dans les bascules, elles peuvent être écrites à un nouvel emplacement. Cette technique peut également être incorporée dans des opérations d'écriture de mémoire cache et pour une opération d'écriture binaire effectuée alors qu'une opération d'écriture à multiples états est mise en attente.
Documents de brevet associés
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