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Observations et contact
1. (WO2013123435) SUBSTRAT DE DIFFUSION DE CHALEUR À INTERCONNEXIONS INCORPORÉES
Données bibliographiques PCT
Description
Revendications
Dessins
Phase nationale
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N° de publication :
WO/2013/123435
N° de la demande internationale :
PCT/US2013/026498
Date de publication :
22.08.2013
Date de dépôt international :
15.02.2013
CIB :
H01L 23/14
(2006.01) ,
H01L 21/48
(2006.01)
H
ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
14
caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
H
ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
48
Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326218
Déposants :
MOHAMMED, Ilyas
[US/US]; US
BEROZ, Masud
[US/US]; US
INVENSAS CORPORATION
[US/US]; 2702 Orchard Parkway San Jose, CA 95134, US
Inventeurs :
MOHAMMED, Ilyas
; US
BEROZ, Masud
; US
Mandataire :
MURABITO, Anthony, C.
; Murabito Hao & Barnes LLP 2 N. Market Street Third Floor San Jose, CA 95113, US
Données relatives à la priorité :
13/399,941
17.02.2012
US
Titre
(EN)
HEAT SPREADING SUBSTRATE WITH EMBEDDED INTERCONNECTS
(FR)
SUBSTRAT DE DIFFUSION DE CHALEUR À INTERCONNEXIONS INCORPORÉES
Abrégé :
(EN)
Heat spreading substrate with embedded interconnects. In an embodiment in accordance with the present invention, an apparatus includes a metal parallelepiped comprising a plurality of wires inside the metal parallelepiped. The plurality of wires have a different grain structure than the metal parallelepiped. The plurality of wires are electrically isolated from the metal parallelepiped. The plurality of wires may be electrically isolated from one another.
(FR)
L'invention concerne un substrat de diffusion de chaleur ayant des interconnections incorporées. Dans un mode de réalisation de la présente invention, un appareil comprend un parallélépipède métallique comportant une pluralité de fils à l'intérieur du parallélépipède métallique. La pluralité de fils ont une structure de grain différente de celle du parallélépipède métallique. La pluralité de fils sont isolés électriquement du parallélépipède métallique et peuvent être isolés électriquement les uns des autres.
États désignés :
AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication :
anglais (
EN
)
Langue de dépôt :
anglais (
EN
)